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微电子加工工艺考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共40分）

1.以下哪种光刻胶在曝光后，曝光区域会被显影液溶解？

A.负性光刻胶B.正性光刻胶C.电子束光刻胶D.离子束光刻胶

2.干法刻蚀中，反应离子刻蚀（RIE）的主要特点是：

A.各向同性刻蚀B.以物理刻蚀为主C.兼具物理与化学刻蚀D.仅适用于金属材料

3.低压化学气相沉积（LPCVD）与常压CVD（APCVD）相比，主要优势是：

A.沉积速率更快B.薄膜均匀性更好C.设备成本更低D.适用于有机材料沉积

4.热氧化法制备SiO?时，湿氧氧化与干氧氧化相比，氧化速率：

A.更快B.更慢C.相同D.取决于温度

5.离子注入后通常需要进行退火处理，主要目的是：

A.去除表面污染物B.激活掺杂离子并修复晶格损伤C.提高薄膜密度D.增强光刻胶附着力

6.以下哪种薄膜沉积技术可以实现原子级厚度控制？

A.磁控溅射（Sputtering）B.等离子体增强CVD（PECVD）C.原子层沉积（ALD）D.蒸发镀膜（Evaporation）

7.光刻工艺中，分辨率（R）的计算公式为R=k?λ/NA，其中NA代表：

A.光源波长B.工艺因子C.数值孔径D.焦深

8.湿法清洗工艺中，SC1溶液（标准清洗1号）的主要成分是：

A.H?SO?+H?O?B.NH?OH+H?O?+H?OC.HCl+H?O?+H?OD.HF+H?O

9.多晶硅薄膜常用作MOSFET的栅极材料，其主要原因是：

A.导电性优于金属B.与SiO?界面稳定性好C.成本低D.透光性好

10.化学机械抛光（CMP）的核心作用是：

A.去除表面氧化层B.实现全局平坦化C.提高薄膜硬度D.增强光刻对准精度

11.以下哪种刻蚀工艺常用于半导体衬底的各向异性刻蚀（如深硅刻蚀）？

A.湿法HF刻蚀B.反应离子刻蚀（RIE）C.等离子体刻蚀（PlasmaEtch）D.博世工艺（BoschProcess）

12.金属互连工艺中，铜互连相比铝互连的主要优势是：

A.电阻率更低B.与SiO?粘附性更好C.抗电迁移能力更弱D.无需扩散阻挡层

13.热扩散掺杂时，杂质在硅中的扩散机制主要是：

A.间隙扩散B.替位扩散C.表面扩散D.晶界扩散

14.光刻胶的关键参数“灵敏度”指的是：

A.光刻胶对特定波长光的响应能力B.显影后线条的边缘粗糙度C.光刻胶的耐刻蚀性D.光刻胶的厚度均匀性

15.以下哪种工艺用于在硅片表面形成浅结（结深0.1μm）？

A.高温长时扩散B.低能大束流离子注入C.等离子体浸没离子注入（PIII）D.分子束外延（MBE）

16.薄膜应力分为压应力和张应力，若薄膜应力过大，可能导致的问题是：

A.光刻对准误差B.晶圆翘曲甚至破裂C.刻蚀速率降低D.氧化层厚度不均

17.以下哪种技术属于下一代光刻技术（BeyondEUV）？

A.193nm浸没式光刻B.电子束投影光刻（EPL）C.光学接近修正（OPC）D.双重曝光（DPL）

18.异质外延（Heteroepitaxy）是指在不同材料衬底上生长单晶薄膜，典型应用是：

A.在Si衬底上生长SiB.在GaAs衬底上生长InPC.在SiO?衬底上生长多晶硅D.在Si衬底上生长GaN

19.扩散工艺中的“预淀积（Predeposition）”阶段，主要目的是：

A.在硅表面形成高浓度杂质层B.使杂质向硅内部均匀分布C.去除表面氧化层D.激活杂质离子

20.以下哪种设备用于测量光刻胶的厚度？

A.扫描电子显微镜（SEM）B.椭偏仪（Ellipsometer）C.原子力显微镜（AFM）D.四探针测试仪（4PointProbe）

二、填空题（每空1分，共15分）

1.光刻工艺的核心步骤包括：涂胶、________、曝光、________、坚膜。

2.热氧化法中，氧化层厚度与时间的关系在薄氧化层时符合________定律，厚氧化层时符合________定律。

3.离子注入的三个关键参数是：能量、________和________。

4.化学气相沉积（CVD）的反应类型主要有：热分解