第3章半导体中载流子的统计分布.pptVIP

●本征半导体载流子浓度随温度变化很大，浓度及导电性不能控制在室温附近，Si：T↑8K，ni↑一倍Ge：T↑12K，ni↑一倍本征半导体在应用上限制第62页，共131页，星期日，2025年，2月5日●纯度达不到要使得本征激发是载流子的主要来源杂质原子/总原子＜＜本征载流子/总原子Si：原子密度1023/cm3，室温时，ni=1010/cm3本征载流子/总原子=1010/1023=10-13＞杂质原子/总原子Si的纯度必须高于99.9999999999999%第63页，共131页，星期日，2025年，2月5日本征半导体：+杂质半导体：n0p0EF电中性条件？§3.6非简并杂质半导体的载流子浓度第64页，共131页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体带电粒子有：电子、空穴、电离的施主nD+和电离的受主pA-电中性条件：no+pA-=po+nD+导带价带pA-p0n0nD+第65页，共131页，星期日，2025年，2月5日电子占据ED的几率空穴占据EA的几率一、杂质能级上的电子和空穴浓度第66页，共131页，星期日，2025年，2月5日若施主浓度为ND施主能级上的电子浓度nD为：—未电离的施主浓度电离的施主浓度nD+为：第67页，共131页，星期日，2025年，2月5日●ED－EF＞＞kTnD→0，nD+→ND，施主杂质几乎全部电离●EF=EDgD=2●EF－ED＞＞kTnD→ND，nD+→0，施主杂质几乎没有电离施主杂质只有1/3电离第68页，共131页，星期日，2025年，2月5日没有电离的受主浓度pA为：电离的受主浓度pA-为：若受主浓度为NAgA第69页，共131页，星期日，2025年，2月5日●EF－EA＞＞kT●EA－EF＞＞kTpA→0，pA-→NA，受主杂质几乎全部电离●EF=EAgA=4pA→NA，pA-→0，受主杂质几乎没有电离受主杂质只有1/5电离第70页，共131页，星期日，2025年，2月5日电中性条件：no+pA-=po+nD+分析不同温度范围，确定费米能级EF导带价带pA-p0n0nD+二、杂质半导体载流子浓度和费米能级第71页，共131页，星期日，2025年，2月5日T杂质离化区本征激发区过渡区低温弱电离区中间电离区强电离区载流子由杂质电离提供杂质部分电离杂质全部电离载流子由杂质电离和本征激发提供载流子主要由本征激发提供第72页，共131页，星期日，2025年，2月5日1.低温弱电离区温度很低，kT＜△ED＜＜Eg，本征激发忽略本征激发很小，po=0可忽略电中性条件no=nD+以只含有ND一种施主杂质为例A.n型半导体载流子浓度和费米能级no+pA-=po+nD+可简化为：第73页，共131页，星期日，2025年，2月5日将n0、nD+代入，得：温度很低时，nD+ND,∴∴取对数并化简得：第74页，共131页，星期日，2025年，2月5日●EF～T的关系T→0K时∴EF→(EC+ED)/2第75页，共131页，星期日，2025年，2月5日T↑，NC↑，dEF/dT↓dEF/dT→+∞T→0K时＞3/2，dEF/dT＞0，EF↑；当第76页，共131页，星期日，2025年，2月5日当T↑↑，达到dEF/dT=0：EF达到最大值第77页，共131页，星期日，2025年，2月5日当T＞Tmax后，第78页，共131页，星期日，2025年，2月5日代入将得到第79页，共131页，星期日，2025年，2月5日●n0～T的关系对no的表达式取对数：lnno≈常数－△ED/(2kT)随温度升高，n0指数上升第80页，共131页，星期日，2025年，2月5日1/Tlnni-Eg/(2k)-△ED/(2k)第81页，共131页，星期日，2025年，2月5日中间电离区温度继续升高，当2NCND后，EF下降到(EC+ED)/2以下T某一温度时：第82页，共131页，星期日，2025年，2月5日2.强电离区（饱和电离区）—杂质全部电离，本征激发仍很小电中性条件为：第83页，共131页，星期日，2025年，2月5日解得费米能级EF代入n0：一般，NCND∴EFEC第84页，共131页，星期日，2025年，2月5日∵n