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考研微电子学基础真题及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体中载流子的迁移率与什么有关？

A.温度

B.杂质浓度

C.电场强度

D.以上都是

2.以下哪种半导体器件具有单向导电性？

A.二极管

B.三极管

C.场效应管

D.晶闸管

3.MOS管的阈值电压与什么有关？

A.栅氧化层厚度

B.衬底掺杂浓度

C.沟道长度

D.以上都是

4.集成电路制造中，光刻的目的是？

A.定义器件结构

B.掺杂杂质

C.形成金属互连

D.生长氧化层

5.以下哪种材料常用于制造半导体器件的衬底？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.以上都可以

6.半导体中的本征载流子浓度与什么有关？

A.温度

B.禁带宽度

C.杂质浓度

D.A和B

7.三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的偏置状态是？

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

8.场效应管的跨导反映了什么？

A.输入电压对输出电流的控制能力

B.输出电流对输入电压的控制能力

C.输入电流对输出电压的控制能力

D.输出电压对输入电流的控制能力

9.集成电路的集成度是指？

A.芯片上晶体管的数量

B.芯片的面积

C.芯片的功耗

D.芯片的工作频率

10.半导体中的电子迁移率比空穴迁移率？

A.大

B.小

C.相等

D.不确定

答案：1.D2.A3.D4.A5.D6.D7.A8.B9.A10.A

多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体材料的特性包括？

A.导电性介于导体和绝缘体之间

B.具有热敏性

C.具有光敏性

D.具有掺杂性

2.以下哪些是半导体器件？

A.二极管

B.三极管

C.电阻

D.电容

3.MOS管的分类包括？

A.NMOS

B.PMOS

C.CMOS

D.DMOS

4.集成电路制造工艺包括？

A.氧化

B.光刻

C.掺杂

D.互连

5.半导体中的杂质可以分为？

A.施主杂质

B.受主杂质

C.中性杂质

D.两性杂质

6.三极管的三个电极是？

A.发射极

B.基极

C.集电极

D.漏极

7.场效应管的优点包括？

A.输入电阻高

B.功耗低

C.噪声小

D.开关速度快

8.集成电路设计流程包括？

A.系统设计

B.逻辑设计

C.版图设计

D.测试验证

9.半导体中的载流子包括？

A.电子

B.空穴

C.离子

D.光子

10.影响半导体器件性能的因素有？

A.温度

B.电压

C.频率

D.湿度

答案：1.ABCD2.AB3.ABC4.ABCD5.AB6.ABC7.ABCD8.ABCD9.AB10.ABC

判断题（每题2分，共10题）

1.半导体的导电性随温度升高而增强。（）

2.二极管的正向电阻比反向电阻小。（）

3.MOS管的栅极电流为零。（）

4.集成电路制造中，光刻精度越高越好。（）

5.半导体中的杂质越多，导电性越好。（）

6.三极管可以实现电压放大。（）

7.场效应管是电压控制型器件。（）

8.集成电路的功耗主要来自于晶体管的开关动作。（）

9.半导体中的本征载流子浓度在一定温度下是固定的。（）

10.不同类型的半导体器件可以集成在同一芯片上。（）

答案：1.√2.√3.√4.√5.×6.√7.√8.√9.√10.√

简答题（总4题，每题5分）

1.简述半导体中载流子的产生与复合过程。

答案：热激发使价带电子跃迁到导带产生电子和空穴，光照等也可产生载流子；载流子复合是导带电子回价带与空穴结合消失，保持热平衡时产生与复合速率相等。

2.说明MOS管阈值电压的影响因素及作用。

答案：影响因素有栅氧化层厚度、衬底掺杂浓度等；阈值电压决定MOS管开启条件，影响器件工作特性和性能，如决定何时导通、截止，对电路功能和性能至关重要。

3.简述集成电路制造中光刻的原理和重要性。

答案：光刻利用光化学反应将掩膜版图形转移到半导体表面光刻胶上，再通过刻蚀等工艺定义器件结构；重要性在于决定器件尺寸、形状和位置精度，是集成电路制造关键步骤，影响芯片性能和集成度。

4.解释三极管的电流放大作用。

答案：三极管发射区向基区发射电子，基区中电子与空穴复合，少量电子到达集电区被收集，当基极电流有小变化时，会引起集电极电流较大变化，实现电流放大。

讨论题（总4题，每题5分）

1.讨论半导体技术发展对现代电子设备的影响。

答案：半导体技术进步使电子设备体积减小、功能增强、性能提