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N型硅中铁相关缺陷的电学性质.pdfVIP

N型硅中铁相关缺陷的电学性质.pdf

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    Abstract

    Sofar,siliconmaterialshaveaccountedformorethan90%oftheinternational

    solarcellmaterialsmarket.P-typesiliconmaterialsaccountfor91%ofthephotovoltaic

    crystallinesiliconmarketshare,andn-typesilicononlyaccountsfor9%.However,

    boron-dopedp-typesiliconsolarcellshavetheproblemoflight-induceddegradation

    causedbyboron-oxygencomplexes.Becausen-typesiliconhastheadvantagesofhigh

    toleranceofmetalimpurities,longlifetimeofminoritycarriersandnoneedtoworry

    aboutlight-induceddegradation,moreandmorephotovoltaiccompaniesand

    laboratoriesareincreasinginvestmentinhigh-efficiencyn-typesiliconsolarcells.Iron

    (Fe)isoneofthemostcommonandharmfulmetalimpuritiestosolarcells.Itis

    necessarytostudytheexistenceformandelectricalpropertiesofironinn-typesilicon.

    Onlybydeeplyunderstandingthevariousbehaviorsofironinn-typesiliconcanthe

    goalofimprovingsolarcellefficiencythrough“defectengineering”beachieved

    Inthispaper,electronbeaminducedcurrent(EBIC)anddeepleveltransient

    spectroscopy(DLTS)areusedtosystematicallystudytheelectricalpropertiesofiron-

    relateddefectsinn-typesiliconandborondiffusiongettering,whichincludesthe

    electricalpropertiesofiron-relateddefectsinn-typedislocatedsilicon,theelectrical

    propertiesofironprecipitationinn-typesilicon,andtheborondiffusiongetteringof

    iron-relateddefectsinn-typesilicon.Theresearchresultsobtainedinthispaperareas

    follows:

    (1)Theelectricalpropertiesofiron-relateddefectsinn-typedislocatedsilicon

    wereexplored:EBICresultsshowthatdislocationscauseironatomstoaggregate,and

    DLTSresultsshowthatcleandislocationsdonotintroducedeep-leveltraps,andK1,

    K2,K3threeiron-

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