半导体物理基础：半导体能带理论_17.非平衡载流子的产生与复合.docxVIP

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17.非平衡载流子的产生与复合

17.1非平衡载流子的产生

在半导体材料中，非平衡载流子的产生是指通过外部激励（如光照射、热激发、电场等）使原本处于平衡状态的电子和空穴对发生跃迁，从而在导带和价带之间形成额外的电子-空穴对。这种外部激励打破了半导体内部的热平衡状态，导致载流子浓度的瞬时变化。

17.1.1光激发

光激发是最常见的非平衡载流子产生机制之一。当光子能量大于或等于半导体的带隙能量时，光子可以被半导体吸收，使价带中的电子跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴。这个过程可以用以下方程描述：

h

其中，hν是入射光子的能量，Ev是价带的能量，Ec是导带的能量，

17.1.2热激发

热激发是指由于温度升高，价带中的电子获得足够的热能而跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴。这种机制在高温下尤为显著。热激发的概率可以用以下公式描述：

n

其中，n是非平衡电子浓度，n0是本征载流子浓度，Eg是带隙能量，kB是玻尔兹曼常数，

17.1.3电场激发

电场激发是指通过外部电场的作用，使价带中的电子获得足够的能量跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴。这种机制在半导体器件中尤为重要，例如在pn结中，正向电压会导致电子从n区注入到p区。

17.2非平衡载流子的复合

非平衡载流子的复合是指导带中的电子和价带中的空穴重新结合，释放出能量。这种过程可以减少非平衡载流子的浓度，使半导体恢复到平衡状态。常见的复合机制包括直接复合、间接复合和陷阱辅助复合。

17.2.1直接复合

直接复合是指导带中的电子直接跃迁到价带中的空穴，释放出能量。这种复合通常发生在带隙较小的半导体中，复合速率可以表示为：

d

其中，n是非平衡电子浓度，n0是平衡电子浓度，τn

17.2.2间接复合

间接复合是指电子通过中间能级（如声子、杂质能级）跃迁到价带中的空穴。这种复合通常发生在带隙较大的半导体中，复合速率可以表示为：

d

其中，τind

17.2.3陷阱辅助复合

陷阱辅助复合是指电子和空穴通过陷阱能级（如缺陷、深能级杂质）进行复合。这种机制在实际半导体材料中非常常见，因为半导体材料中通常存在各种缺陷和杂质。复合速率可以表示为：

d

其中，τtrap

17.3非平衡载流子的寿命

非平衡载流子的寿命是指从产生到复合的时间。寿命的长短直接影响半导体器件的性能。通常，寿命可以定义为：

τ

其中，τdirect、τind和τ

17.4非平衡载流子的扩散

非平衡载流子在半导体中的扩散是一个重要的传输过程。电子和空穴在浓度梯度的驱动下，从高浓度区域向低浓度区域扩散。扩散方程可以表示为：

?

其中，n是电子浓度，Dn是电子的扩散系数，τn

17.5非平衡载流子的动力学模拟

在实际应用中，非平衡载流子的动力学模拟是设计和优化半导体器件的关键步骤。常用的模拟方法包括连续方程法、蒙特卡洛法和传输线矩阵法。

17.5.1连续方程法

连续方程法是一种基于载流子浓度和电流密度的宏观模拟方法。基本方程包括连续方程和泊松方程。连续方程描述了载流子浓度随时间和空间的变化：

?

其中，G是载流子的产生率。

泊松方程描述了电势随时间和空间的变化：

?

其中，?是电势，q是电子电荷，?是介电常数，ND和NA

17.5.2蒙特卡洛法

蒙特卡洛法是一种基于随机过程的微观模拟方法。通过模拟每个载流子的运动轨迹，可以得到载流子的分布和传输特性。蒙特卡洛法特别适用于高电场和高温条件下的模拟。

17.5.3传输线矩阵法

传输线矩阵法是一种基于传输线模型的数值模拟方法。通过将半导体结构划分为多个小段，模拟每个小段的传输特性，可以得到整个结构的传输特性。这种方法特别适用于复杂结构的器件模拟。

17.6例子：pn结中非平衡载流子的产生与复合

17.6.1问题描述

考虑一个pn结器件，当正向电压施加时，n区的电子会注入到p区，同时p区的空穴会注入到n区。假设正向电压为0.5V，pn结的宽度为10μm，材料为硅，带隙能量为1.12eV，电子和空穴的寿命分别为1μs和2μs。

17.6.2模拟步骤

定义材料参数：包括带隙能量、电子和空穴的寿命、扩散系数等。

设置初始条件：包括平衡载流子浓度、电势分布等。

施加外部激励：正向电压。

求解连续方程和泊松方程：得到非平衡载流子的浓度分布和电势分布。

17.6.3Python代码示例

以下是一个简单的Python代码示例，使用连续方程法模拟pn结中非平衡载流子的产生与复合。

importnumpyasnp

importmatplotlib.pyplotasplt

#定义材料参数

E_g=1.12#带隙能量(eV)

D_n=25#电子扩散系数