模拟电子技术基础.pptxVIP

模拟电子技术基础;

·半导体二极管

·晶体管及其放大电路

·场效应管放大电路

·多级放大电路

●模拟集成电路;

·反馈放大电路

·频率响应分析

●放大电路设计

·特殊器件应用

·电路实例分析;

半导体二极管;

本征半导体与掺杂技术

本征半导体(如硅、锗)通过掺杂微量三价或五价元素形成P型或N型

半导体，显著提升导电性。P型半导体以空穴为多数载流子，N型以自由电子为主。

载流子运动机制

半导体导电性由温度、光照和电场共同影响，热激发产生电子-空穴对,复合过程决定载流子寿命，直接影响器件性能。

能带理论解释

价带与导带间的禁带宽度决定半导体导电性，掺杂可引入施主或受主

能级，缩小有效禁带宽度，增强载流子浓度。;

扩散与漂移平衡

P型与N型半导体接触后，多子扩散形成空间电荷区(耗尽层),内建电场抑制进一步扩散，达到动态平衡状态。;

点接触二极管

金属细针压接半导体形成微小PN结，结电容极低(约1pF),适用于高频检波和开关电路(如1N34A)。

面结型二极管

通过合金或扩散工艺形成较大PN结，允许大电流(安培级),整流效率高(如1N4007),但结电容较大(数十pF)。

肖特基二极管

金属-半导体接触形成势垒，导通压降低(0.3V)、反

向恢复时间短(纳秒级),广泛用于开关电源和高速电路(如BAT54)。;

●齐纳击穿与雪崩击穿

低掺杂稳压管(5V)依赖齐纳效应，高掺杂(7V)以雪崩击穿为主，两者混

合作用区为5-7V。击穿后电流剧增而电压稳定。

●动态电阻特性

稳压管在击穿区的动态电阻(△Vz/△Iz)越小，稳压性能越优，典型值可低至1Ω以下，需配合限流电阻使用。

●温度补偿设计

串联正向二极管或采用特殊工艺(如温度补偿稳压管1N829)可将温度系数降至±0.0005%/℃,用于精密基准源。;

正向导通条件

硅管需正向压降≥0.7V(锗管

0.3V),实际电路需结合外围

电阻计算静态工作点，确保电

流在额定范围内。;

逻辑门电路应用

二极管-电阻逻辑(DTL)实现与/或功能，虽速度慢于TTL,但抗干扰能力强，仍用于某些工业控制场景。;

晶体管及其放大电路;

02工作原理

通过基极电流的微小变化控制集电极电流的大幅变化，实现电流放大。发射结正偏、集电结反偏时，载流子在电场作用下形成放大效应。;

电路构成

以发射极为公共端，输入信号加在基

极-发射极间，输出信号从集电极-发

射极间提取，具有电压和电流双重放

大能力。

旁路电容作用

发射极旁路电容可消除交流负反馈，

提高电路增益；未旁路时电路稳定性

增强但增益下降。;

交流小信号模型

将晶体管线性化为h参数或混合π模型，通过等效电路计算电压增益、输入/输出阻抗等动态参数。

反馈分析

识别电路中的反馈类型(如电压串联负反馈),评估其对增益稳定性、带宽及非线性失真的影响。;

稳定性指标

通过稳定性系数S(=△IC/△ICO)量

化电路抗干扰能力，S越小稳定性越

佳。;

电压增益接近1但小于1,输入阻抗高(数百kΩ)、输出阻

抗低(几十Ω),适用于阻抗变换和信号缓冲。输出信号与输入同相，带负载能力强。

03组合应用

共集-共基组合可兼顾高频响应和稳定性，如用于差分放大

或宽带放大电路；共射-共集组合可优化输入/输出阻抗匹配。;

场效应管放大电路;

3

应用场景

常用于低频小信号放大、阻抗变换电路及模拟开关，因温度稳定性好,在工业控制设备中广泛应用。;

因极间电容小(仅pF级),开关速度快

,广泛应用于高频放大器和数字集成电

路(如CMOS工艺)。;

03漏源击穿电压(BVdss)

限定最大工作电压，功率管可达数百伏，设计时需保留20%余量。;

共源放大电路

电压增益高(Av=-gm*Rd),输入输出反相，需旁路电容稳定源

极电位，频带宽度受米勒效应限制。

共漏电路(源极跟随器)

电压增益≈1,输出阻抗低(1/gm),用于阻抗匹配，相位无偏移。

共栅电路

电流增益高，输入阻抗低(1/gm),适合高频放大，可抑制密勒电容效应。

偏置稳定性分析

采用电流源负载或负反馈技术(如源极电阻Rs)可降低温度漂移

,提高Q点稳定性。;

多级放大电路;

直接耦合

各级间直接连接，可放大直流信号且无低

频截止问题，但存在静态工作点相互影响和零点漂移现象，需设计精密偏置电路补偿温漂。

光电耦合

采用光电器件实现电-光-电转换，彻底隔

离前后级电气连接，适用于高压或噪声敏

感系统，但线性度较差且需额外供电支持发光器件。;