（集成电路）半导体工艺研发试题及答案.docVIP

2025年（集成电路）半导体工艺研发试题及答案

第I卷（选择题，共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.集成电路制造中，以下哪种材料常用于作为衬底？（）

A.硅B.铜C.铝D.金

答案：A

2.光刻工艺的主要作用是（）

A.刻蚀半导体材料B.在半导体表面形成特定图案

C.掺杂半导体D.清洗半导体表面

答案：B

3.以下哪种刻蚀技术具有较高的选择性？（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.反应离子刻蚀D.等离子体刻蚀

答案：C

4.掺杂工艺中，通过扩散方式引入杂质的过程属于（）

A.离子注入B.热扩散C.化学气相沉积D.物理气相沉积

答案：B

5.化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.在半导体表面沉积薄膜B.去除半导体表面杂质

C.对半导体进行加热处理D.测量半导体参数

答案：A

6.集成电路制造中，用于形成金属互连层的工艺是（）

A.光刻B.刻蚀C.电镀D.化学机械抛光

答案：C

7.以下哪种技术可以提高集成电路的集成度？（）

A.缩小芯片尺寸B.增加芯片厚度C.提高工作电压D.降低时钟频率

答案：A

8.半导体工艺中，退火的目的是（）

A.去除杂质B.修复晶格损伤C.增加掺杂浓度D.降低芯片功耗

答案：B

9.以下哪种测试方法可以检测集成电路的电气性能？（）

A.光学显微镜观察B.电子显微镜扫描C.万用表测量D.红外热成像

答案：C

10.集成电路设计中，版图设计属于（）阶段。

A.前端设计B.后端设计C.系统设计D.验证测试

答案：B

11.以下哪种材料可作为绝缘介质用于集成电路？（）

A.二氧化硅B.硅C.铜D.铝

答案：A

12.动态随机存取存储器（DRAM）的存储单元主要基于（）原理。

A.电容存储电荷B.晶体管存储数据C.磁性材料存储信息D.光学存储

答案：A

13.互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺中，P型和N型晶体管的作用分别是（）

A.放大和开关B.开关和放大C.均为放大D.均为开关

答案：B

14.集成电路制造中，晶圆的直径通常有（）

A.1英寸、2英寸B.4英寸、6英寸C.8英寸、12英寸D.16英寸、20英寸

答案：C

15.以下哪种工艺可以提高半导体器件的速度？（）

A.减小沟道长度B.增加沟道宽度C.降低掺杂浓度D.提高工作温度

答案：A

16.半导体工艺中，用于测量薄膜厚度的方法是（）

A.四探针法B.椭偏仪测量C.万用表测量D.示波器测量

答案：B

17.集成电路封装的主要作用是（）

A.保护芯片B.提高芯片性能C.降低芯片功耗D.增加芯片集成度

答案：A

18.以下哪种技术可用于实现集成电路的三维集成？（）

A.倒装芯片技术B.光刻技术C.刻蚀技术D.化学气相沉积技术

答案：A

19.半导体工艺研发中，工艺窗口的定义是（）

A.工艺参数的取值范围B.芯片的尺寸范围

C.工作电压的范围D.时钟频率的范围

答案：A

第Ⅱ卷（非选择题，共60分）

（一）简答题（共20分）

答题要求：请简要回答问题，每题5分，共4题。

1.简述光刻工艺的基本流程。

_光刻工艺基本流程包括：光刻胶涂覆，使光刻胶均匀覆盖在晶圆表面；曝光，通过光刻设备将掩膜版上的图案转移到光刻胶上；显影，去除未曝光部分的光刻胶，从而在晶圆表面形成与掩膜版图案对应的光刻胶图案，为后续工艺提供图形化模板。_

2.说明掺杂工艺对半导体电学性能的影响。

_掺杂工艺通过向半导体中引入杂质原子，改变半导体的导电类型和载流子浓度。例如，掺入施主杂质可使半导体变为N型，增加电子载流子浓度，提高电子导电性；掺入受主杂质可使半导体变为P型，增加空穴载流子浓度，提高空穴导电性，从而实现对半导体电学性能的精确调控。_

3.简述化学气相沉积（CVD）的原理及常见的CVD技术。

_CVD原理是利用气态反应物在高温和一定压力下发生化学反应，在衬底表面沉积固态薄膜。常见的CVD技术有常压化学气相沉积（APCVD），在常压下进行反应；低压化学气相沉积（LPCVD），在较低压力下反应，可提高薄膜质量和均匀性；等离子体增强化学气相沉积（PECVD），利用等离子体增强反应活性，可在较