CN112257270B 一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、opc模型及电子设备 （东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112257270B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202011153654.X

(22)申请日2020.10.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112257270A

(43)申请公布日2021.01.22

(73)专利权人东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区经海四路156号院12号楼

(72)发明人高世嘉谢理

(74)专利代理机构深圳市智享知识产权代理有限公司44361

专利代理师罗芬梅

(51)Int.CI.

GO6F30/20(2020.01)

GO6F17/13(2006.01)

GO3F7/20(2006.01)

G06F119/14(2020.01)

(56)对比文件

CN107844644A,2018.03.27

IN2007DELNP08237A1,2008.07.04审查员庄敏

权利要求书3页说明书12页附图8页

(54)发明名称

一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、0PC模型及电子设备

(57)摘要

CN112257270B发明涉及集成电路光刻技术领域，尤其涉及一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法、负显影光刻胶模型、0PC模型及电子设备。一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，基于弹性力学对光刻胶的形变进行分析，设定应力、应变之一者作为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布，使得曝光图形和目标图形最接近，能很好的对热收缩效应过程中光刻胶的形变进行分析，提高光刻计算过程中的准确性，同时，采用泰勒展开式

CN112257270B

通过光学模型得到光刻胶的光场分布，设定光场分布为

通过光学模型得到光刻胶的光场分布，设定光场分布为

E(x,y),且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，S(x,y)=F(E(x,y))

设定光刻胶在后烘过程中的热收缩效应为弹性形变，基于弹性力学对光刻胶的弹性形变进行分析，设定应力、应变之一者作

为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，所述等效方程为微分

方程；及

选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布

S2

S1

CN112257270B权利要求书1/3页

2

1.一种负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、通过光学模型得到光刻胶的光场分布，设定光场分布为E(x,y),且设定光刻胶中酸浓度的分布为光场分布的函数，即S(x,y)=F(E(x,y));

S2、设定光刻胶在后烘过程中的热收缩效应为弹性形变，基于弹性力学对光刻胶的弹性形变进行分析，设定应力、应变之一者作为光刻胶形变量的等效以获得等效方程，所述等效方程为微分方程；及

S3、选用泰勒展开式对所述等效方程进行近似计算以获得应力或者应变的近似值，根据所述近似值对光场分布进行调整以获得合适的酸浓度分布。

2.如权利要求1所述的负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，其特征在于：

根据连续性假设，弹性体在变形前和变形后仍保持为连续体，假设弹性体中某点在变形过程中由位置M(x,y,z)移动至M(x,y′,z′),这一过程为连续过程，所有位移满足方程：

其中u(x,y,z)=x′(x,y,z)-x,v(x,y,z)=y(x,y,z)-y,w(x,y,z)=z(x,y,z)-z,其

中u、v、w分别对应为x方向、y方向和z方向上的位移，光刻胶对应称为弹性体；

在上述步骤S2中，所述等效方程的获得包括如下步骤：

S21、外力通过平衡方程与应力形成相互关联，应力通过物理方程与应变形成相互关联，应变通过几何方程与位移形成相互关联；及

S22、基于光刻胶的厚度尺寸较薄，将所述光刻胶设定为一个平面，从而对所述平衡方程、所述物理方程以及所述几何方程简化。

3.如权利要求2所述的负显影光刻工艺的全芯片快速仿真方法，其特