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6.4单结晶体管和场效应管;6.4.1单结晶体管
单结晶体管的结构如图6.17(a)所示,它是在一块高阻率的N型硅基片上用镀金陶瓷片制作成两个接触电阻很小的极,作为第一基极b1和第二基极b2,在硅基片的另一侧靠近b2处掺入P型杂质,从而形成PN结,并引出电极作为发射极e。其等效电路是由第一基极b1和第二基极b2之间的电阻Rbb(Rbb=Rb1+Rb2)、发射极e与两基极之间的PN结(即二极管VD)所组成,如图(c)所示。单结晶体管的图形符号如图(b)所示,文字符号也用“VT”表示。
2.工作特性
(1)单结晶体管的e极与b1极之间的电阻reb1随发射极电流IE而变。当IE上升时reb1就会下降。单结晶体管的e极与b2极之间的电阻reb2与发射极电流IE无关。
(2)单结晶体管的导通条件为:在e极与b1极之间应为正向电压(即Ueb1>0),且在b2极与b1极之间也应为正向电压(即Ub2b1>>0)。;6.4.1单结晶体管;汽车电工电子技术;汽车电工电子技术;【做一做】(P184);6.4.2场效应管;6.4.2场效应管;6.4.2场效应管;6.4.2场效应管
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