CN111799167B 制造半导体装置的方法 （Asmip私人控股有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111799167B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202010226436.8

(22)申请日2020.03.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111799167A

(43)申请公布日2020.10.20

(30)优先权数据

62/827,7132019.04.01US

(51)Int.CI.

H01L21/306(2006.01)

H01L21/311(2006.01)

(56)对比文件

CN108780735A,2018.11.09US5000113A,1991.03.19

CN105719965A,2016.06.29

US2019080903A1,2019.03.14

(73)专利权人ASMIP私人控股有限公司审查员谭剑权地址荷兰阿尔梅勒

(72)发明人H.S.姜Y.K.闵W.G.林J.G.余J.0.柯Y.H.金

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师王冉

权利要求书2页说明书13页附图12页

(54)发明名称

制造半导体装置的方法

CNCN111799167B

(57)摘要

一种具有提高的蚀刻选择性的衬底加工方法包括：用于在阶梯式结构上形成膜的第一操作，所述阶梯式结构具有顶部表面、底部表面和连接所述顶部表面和所述底部表面的侧表面，其中第一气氛被设定成缩短等离子体离子的平均自由路径并且使得所述等离子体离子不具有方向性；和用于改变所述膜的一部分的键合结构的第二操作，其中第二气氛被设定成使得所述等离子体离子具有方向性，其中所述第一操作重复多次，所述第二操作执行预定时间段，所述第一操作和所述第二操作形成成组循环，并且所述成组循环重复多次。

X=1S100

在第一气氛中形成膜(M次)

GC

在第二气氛中改变膜的部分的

键合结构(N秒)

S130

否

X=预定值?

是

各向同性蚀刻S140

X=X+1

S150

S110

S120

CN111799167B权利要求书1/2页

2

1.一种衬底加工方法，其包含：

用于在阶梯式结构上形成膜的第一操作，所述阶梯式结构具有顶部表面、底部表面和连接所述顶部表面和所述底部表面的侧表面，其中第一气氛被设定成缩短等离子体离子的平均自由路径并且使得所述等离子体离子不具有方向性；和

用于改变所述膜的一部分的键合结构的第二操作，其中第二气氛被设定成使得所述等离子体离子具有方向性；

其中所述第一操作重复多次，所述第二操作执行预定时间段，所述第一操作和所述第二操作形成成组循环，并且所述成组循环重复多次，

其中，所述方法还包括对通过执行所述成组循环多次形成的所述膜执行各向同性蚀刻；以及

其中

在成组循环中，所述第一操作执行m次，所述第二操作执行n秒，

并且调节n与m的比率以通过所述各向同性蚀刻控制剩余膜的轮廓，

在第一操作和第二操作期间，氮气作为反应气体供给，并且在第二操作中供应的氮气的量小于在第一操作供应的氮气的量，

第一气氛的温度高于第二气氛的温度。

2.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其中，

在所述各向同性蚀刻期间，在所述膜的键合结构已改变的部分与所述膜的另外剩余部分之间实现蚀刻选择性。

3.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其中，

在所述第二操作期间，所述膜的所述部分的所述键合结构通过所述等离子体离子的离子轰击效应弱化。

4.根据权利要求3所述的衬底加工方法，其中

所述等离子体离子具有垂直于所述阶梯式结构的所述顶部表面和所述底部表面的方向性，使得在所述各向同性蚀刻之后，在所述阶梯式结构的所述顶部和底部表面上形成的所述膜的一部分被去除，并且在所述阶梯式结构的所述侧表面上形成的所述膜的一部分保

留。

5.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其中

所述第一气氛的压力高于所述第二气氛的压力。

6.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其中

所述第一气氛中的等离子体功率低于所述第二气氛中的等离子体功率。

7.根据权利要求1所述的衬底加工方法，其中所述第一操作包含：

供应第一气体；

吹扫所述第