CN112002360B 铁电存储器和逻辑单元及操作方法 （纳姆实验有限责任公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112002360B(45)授权公告日2025.07.01

(21)申请号202010381912.3

(22)申请日2020.05.08

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112002360A

(43)申请公布日2020.11.27

(30)优先权数据

62/845,4642019.05.09US

16/782,4412020.02.05US

(73)专利权人纳姆实验有限责任公司地址德国德累斯顿

(72)发明人斯特凡·斯列萨策克米兰·佩希奇

(74)专利代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司11240

专利代理师刘彬

(51)Int.CI.

G11C11/22(2006.01)

(56)对比文件

US5768176A,1998.06.16

US6510073B1,2003.01.21

审查员张佳培

权利要求书4页说明书15页附图17页

(54)发明名称

铁电存储器和逻辑单元及操作方法

(57)摘要

本发明涉及铁电存储器和逻辑单元及操作方法。一个示例提供了存储单元，该存储单元包括：节点；层堆叠，其包括第一电极、连接到节点的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间并具有至少两种极化状态的可极化材料层。第一晶体管包括源极端子、漏极端子和栅极端子，其中栅极端子连接到节点。选择器元件至少包括第一端子和第二端子，其中第二端子连接到节

CN112002360

CN112002360B

WL

CN112002360B权利要求书1/4页

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1.一种存储单元，包括：

节点；

层堆叠，包括：

第一电极；

第二电极，连接到所述节点；

可极化材料层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并具有至少两种极化状态；第一晶体管，具有源极、漏极和栅极端子，所述栅极端子连接到所述节点；以及

选择器元件，至少具有第一端子和第二端子，所述第二端子连接到所述节点，

所述层堆叠的所述第一电极连接到板线，并且所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的一个连接到参考电压，

所述选择器元件包括具有源极、漏极和栅极的第二晶体管，其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的一个表示所述选择器元件的所述第二端子并连接到所述节点，并且所述栅极连接到字线，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到选择线，并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到位线。

2.根据权利要求1所述的存储单元，所述层堆叠包括铁电材料。

3.根据权利要求1所述的存储单元，所述参考电压包括接地。

4.一种存储单元，包括：

节点；

层堆叠，包括：

第一电极；

第二电极，连接到所述节点；

可极化材料层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并具有至少两种极化状态；第一晶体管，具有源极、漏极和栅极端子，所述栅极端子连接到所述节点；以及

选择器元件，至少具有第一端子和第二端子，所述第二端子连接到所述节点，

所述层堆叠的所述第一电极连接到板线，并且所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的一个连接到参考电压，

所述选择器元件包括具有源极、漏极和栅极的第二晶体管，其中，所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的一个表示所述选择器元件的所述第二端子并连接到所述节点，并且所述栅极连接到字线，

所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个连接到位线，并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个表示所述选择器元件的所述第一端子并连接到所述位

线。

5.根据权利要求4所述的存储单元，所述层堆叠包括多个层堆叠，并且所述板线包括多个板线，每个层堆叠的第一电极连接到所述节点，并且每个层堆叠的第二电极连接到所述多个板线中的不同的一个板线。

6.一种存储单元，包括：

节点；

层堆叠，包括：

CN112002360B权利要求书2/4页

3

第一电极；

第二电极，连接到所述节点；

可极化材料层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间并具有至少两种极化状态；第一晶体管，具有源极、漏极和栅极端子，所述栅极端子连接到所述节点；以及

选择器元件，至少具有第一端子和第二端子，所述第二端子连接到所述节点，

所述层堆叠的所述第一电