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材料常用制备方法

晶体生长技术

1．熔体生长法【meltgrowthmethod】（将欲生长晶体的原料熔化，然后让熔体达到一定的过冷而形成单晶）

1.1提拉法

特点：a.可以在短时间内生长大而无错位晶体

b.生长速度快，单晶质量好

c.适合于大尺寸完美晶体的批量生产

1.2坩埚下降法

特点：装有熔体的坩埚缓慢通过具有一定温度梯度的温场，开始时整个物料熔融，当坩埚下降通过熔点时，熔体结晶，随坩埚的移动，固液界面不断沿坩埚平移，至熔体全部结晶。

1.3区熔法

特点：a.狭窄的加热体在多晶原料棒上移动，在加热体所处区域，原料变成熔体，该熔体在加热器移开后因温度下降而形成单晶

b.随着加热体的移动，整个原料棒经历受热熔融到冷却结晶的过程，最后形成单晶棒

c.有时也会固定加热器而移动原料棒

1.4焰熔法

特点：a.能生长出很大的晶体（长达1m）

b.适用于制备高熔点的氧化物

c.缺点是生长的晶体内应力很大

1.5液相外延法

优点：a.生长设备比较简单；

b.生长速率快；

c.外延材料纯度比较高；

d.掺杂剂选择范围较广泛；

e.外延层的位错密度通常比它赖以生长的衬底要低；

f.成分和厚度都可以比较精确的控制，重复性好；

操作安全。

缺点：a.当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生长困难；

b.由于生长速率较快，难得到纳米厚度的外延材料；

c.外延层的表面形貌一般不如气相外延的好。

2.溶液生长法【solutiongrowthmethod】(使溶液达到过饱和的状态而结晶)

2.1水溶液法

原理：通过控制合适的降温速度，使溶液处于亚稳态并维持适宜的过饱和度，从而结晶

2.2水热法【HydrothermalMethod】

特点：a.在高压釜中，通过对反应体系加热加压（或自生蒸汽压），创造一个相对高温高压的反应环境，使通常难溶或不溶的物质溶解而达到过饱和、进而析出晶体

b.利用水热法在较低的温度下实现单晶的生长，从而避免了晶体相变引起的物理缺陷

2.3高温溶液生长法（熔盐法）

特点：a.使用液态金属或熔融无机化合物作为溶剂

b.常用溶剂：

液态金属

液态Ga（溶解As）

Pb、Sn或Zn（溶解S、Ge、GaAs）

KF（溶解BaTiO3）

Na2B4O7（溶解Fe2O3）

c.典型温度在1000?C左右

d.利用这些无机溶剂有效地降低溶质的熔点，能生长其他方法不易制备的高熔点化合物，如钛酸钡BaTiO3

二．气相沉积法

1.物理气相沉积法(PVD)【PhysicalVaporDeposition】

1.1真空蒸镀【EvaporationDeposition】

特点：a.真空条件下通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面；

b.常用镀膜技术之一；

c.用于电容器、光学薄膜、塑料等的镀膜；

d.具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜

分类：电阻加热法、电子轰击法

1.2阴极溅射法（溅镀）【SputteringDeposition】

原理：利用高能粒子轰击固体表面（靶材），使得靶材表面的原子或原子团获得能量并逸出表面，然后在基片（工件）的表面沉积形成与靶材成分相同的薄膜。

分类：二极直流溅射【BipolarSputtering】

高频溅镀【RFSputtering】

磁控溅镀【magnetronsputtering】

1.3离子镀【ionplating】

特点：a.附着力好（溅镀的特点）

b.高沉积速率（蒸镀的特点）

c.绕射性

d.良好的耐磨性、耐磨擦性、耐腐蚀性

2.化学气相沉积法（CVD）【ChemicalVaporDeposition】

按反应能源：

2.1ThermalCVD

特点：a.利用热能引发化学反应

b.反应温度通常高达800~2000℃

c.加热方式

电阻加热器

高频感应

热辐射

热板加热器

2.2Plasma-EnhancedCVD(PECVD)

优点：a.工件的温度较低，可消除应力；

b.同时其反应速率较高。

缺点：a.无法沉积高纯度的材料；

b.反应产生的气体不易脱附；