半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法标准立项修订与发展报告.docxVIP

*

《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheStandardfor“Semiconductordevices-Non-destructiveidentificationcriteriafordefectsinsiliconcarbidehomoepitaxialwafersforpowerdevices-Part2:Opticalinspectionmethodsfordefects”

摘要：

本报告旨在系统阐述国家标准《半导体器件功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据第2部分：缺陷的光学检测方法》的立项背景、核心内容、技术价值及其对行业发展的深远意义。碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，在新能源汽车、轨道交通、智能电网等高压、高频、高温应用场景中展现出巨大潜力。然而，SiC同质外延片中的各类晶体缺陷是制约其功率器件性能、成品率及长期可靠性的关键瓶颈。本标准的制定，积极响应了国家《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》、《新材料产业发展指南》等政策文件对先进半导体材料标准化的战略部署。报告详细分析了该标准等同采用国际电工委员会标准IEC63068-2:2019的技术路径，明确了其规定的光学检测条件、方法、缺陷识别判据及术语体系。该标准的实施，将为SiC外延材料的生产、质检、应用及研发提供统一、科学、与国际接轨的无损检测依据，有效提升我国SiC产业链的质量控制水平，降低技术壁垒，对推动我国宽禁带半导体产业的健康、快速发展具有重要的基础性支撑作用。

关键词：

碳化硅外延片；SiC；缺陷检测；光学检测；无损检测；标准化；宽禁带半导体；功率器件

Keywords:SiliconCarbideEpitaxialWafer;SiC;DefectInspection;OpticalInspection;Non-destructiveTesting;Standardization;WideBandgapSemiconductor;PowerDevice

---

正文

一、立项背景与战略意义

碳化硅（SiC）材料因其宽禁带、高临界击穿电场、高热导率及高电子饱和漂移速率等卓越的物理特性，成为制备高压、大功率、高频、高温半导体器件的理想衬底材料，被列为国家战略性新兴产业中的关键先进半导体材料。

政策驱动与产业需求：国家层面高度重视新材料及其标准化工作。《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》在“先进半导体材料”领域明确提出了建立碳化硅相关标准体系的任务。《新材料产业发展指南》将宽禁带半导体材料列为重点发展方向。同时，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》将“碳化硅外延片”列入关键战略材料清单。这一系列政策导向凸显了建立健全SiC材料标准体系的紧迫性和重要性，为本标准的立项提供了坚实的政策依据。

技术桥梁与质量核心：在SiC功率器件的产业链中，同质外延片是连接单晶衬底与终端器件的不可或缺的技术桥梁。外延层的质量直接决定了器件的电学性能和可靠性。SiC同质外延过程中产生的各类缺陷，如微管（Micropipe）、螺纹位错（ThreadingScrewDislocation,TSD）、基平面位错（BasalPlaneDislocation,BPD）、堆垛层错（StackingFault）等，会显著降低器件的阻断电压、增加漏电流、影响开关特性，甚至导致器件早期失效。因此，对这些缺陷进行精确、快速、无损的检测与分类，是评价外延片质量、优化外延工艺、提升器件成品率的核心环节。

国际接轨与行业规范：目前，国际上已通过IEC63068系列标准建立了较为完善的SiC材料缺陷检测方法体系。我国SiC产业正处于快速发展期，但相关检测方法标准尚不统一，各生产商和用户采用的检测条件、判据存在差异，不利于产品质量的客观比对和产业链的高效协同。等同采用国际先进标准IEC63068-2:2019，制定本部分国家标准，能够使我国SiC外延片的缺陷检测方法迅速与国际主流实践接轨。这不仅有助于统一行业内的检测语言和评价尺度，减少贸易和技术交流障碍，更能通过标准化的手段引导国内企业提升技术水平，促进整个SiC外延材料产业的规范化、高质量发展。

二、标准范围与主要技术内容

1.标准范围界定

本标准的核心在于规定对SiC同质外延片中缺陷进行无损光学检测的通用方法。它明确规定了检测所需的基本条件、仪器参数设置、标准化的操作步骤、缺陷的识别与分类依据，以及最终试验报告应包含的内容。