CN114447217B 半导体结构及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN114447217B(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号202011221313.1

(22)申请日2020.11.05

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114447217A

(43)申请公布日2022.05.06

(73)专利权人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人苏士炜林大钧张智伟蔡滨祥简廷安

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师陈小雯

(51)Int.CI.

H10N70/20(2023.01)

H10B63/00(2023.01)

(56)对比文件

CN109560194A,2019.04.02

US2007246782A1,2007.10.25审查员王小峰

权利要求书2页说明书5页附图3页

(54)发明名称

130114

130

114

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112

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102

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132

104

102

(57)摘要

CN114447217B本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含一基底，一电阻式随机存取存储器位于该基底上，包含有一上电极、一下电极以及一电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，以及一帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有一上半部分

CN114447217B

CN114447217B权利要求书1/2页

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1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

基底；

电阻式随机存取存储器，位于该基底上，包含有上电极、下电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，其中该电阻转换层包含金属氧化物；以及

帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有上半部分以及下半部分，且在该半导体结构未经初始化的状态下该上半部分与该下半部分所包含的应力不

同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分包含有压力，且该下半部分包含有拉力。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分包含有较大压力，该下半部分包含有较小压力。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上电极的水平宽度小于该下电极的水平宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该上半部分与该下半部分之间包含有交界，且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电阻转换层重叠。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该帽盖层的材质包含有氮化硅。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该下半部分包含有第一离子，其中该第一离子包含硼离子。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该上半部分包含有第二离子，其中该第二离子包含磷离子、锗离子或氩离子。

9.一种半导体结构的形成方法，包含：

提供基底；

形成电阻式随机存取存储器于该基底上，该电阻式随机存取存储器包含有上电极、下电极以及电阻转换层位于该上电极以及该下电极之间，其中该电阻转换层包含金属氧化物；以及

形成帽盖层，覆盖于该电阻式随机存取存储器外侧，其中该帽盖层具有上半部分以及下半部分，且在该半导体结构未经初始化的状态下该上半部分与该下半部分所包含的应力

不同。

10.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分包含有压力，且该下半部分包含有拉力。

11.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分包含有较大压力，该下半部分包含有较小压力。

12.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上电极的水平宽度小于该下电极的水平宽度。

13.根据权利要求9所述的形成方法，其中该上半部分与该下半部分之间包含有交界，且该交界在水平方向上与该电阻式随机存取存储器的该电阻转换层重叠。

14.根据权利要求9所述的形成方法，其中该帽盖层的材质包含有氮化硅。

15.根据权利要求14所述的形成方法，其中该下半部分包含有第一离子，其中该第一离子包含硼离子。

CN114447217B权利要求书2/2页

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16.根据权利要求14所述的形成方法，其中该上半部分包含有第二离子，其中该第二离子包含磷离子、锗离子或氩离子。

17.根据权利要求9所述的形成方法，其中在该帽盖层形成后，还包含进行第一次离子掺杂步骤以及第二次离子掺杂步骤，以分别对该帽盖层掺杂不同的离子。

18.根据权利要求17所述的形成方