器件设计技术.PPTVIP

器件設計技術2025-4-4*第一節引言積體電路按其製造材料分為兩大類：一類是Si（矽），另一類是GaAs（砷化鎵）。目前用於ASIC設計的主體是矽材料。但是，在一些高速和超高速ASIC設計中採用了GaAs材料。用GaAs材料製成的積體電路，可以大大提高電路速度。目前Si工藝比較成熟。2025-4-4*2025-4-4*1、在雙極型工藝下ECL/CML：EmitterCoupledLogic/CurrentModeLogic射極耦合邏輯/電流型開關邏輯TTL：TransistorTransistorLogic電晶體-電晶體邏輯：IntegratedInjectionLogic集成注入邏輯2025-4-4*2、在MOS工藝下NMOS、PMOS：MNOS：MetalNitride（氮）OxideSemiconductor(E)NMOS與(D)NMOS組成的單元CMOS:MetalGateCMOSHSCMOS：HighSpeedCMOS（矽柵CMOS）CMOS/SOS：CMOS/SilicononSapphire（蘭寶石上CMOS，提高抗輻射能力）VMOS：VerticalCMOS（垂直結構CMOS提高密度及避免Latch-Up效應）2025-4-4*第二節MOS電晶體的工作原理MOSFET（MetalOxideSemi-conductorFieldEffectTransistor），是構成VLSI的基本元件。簡單介紹MOS電晶體的工作原理。一、半導體的表面場效應1、P型半導體2025-4-4*2、表面電荷減少2025-4-4*3、形成耗盡層2025-4-4*4、形成反型層2025-4-4*二、PN結的單向導電性自建電場和空間電荷2025-4-4*PN結的單向導電性2025-4-4*三、MOS管的工作原理nn2025-4-4*VgsVtn,電晶體截止Vgs?Vtn，電晶體開啟，設Vgs保持不變。（1）當Vds=0時，S、D之間沒有電流Ids=0。（2）當Vds0時，Ids由S流向D，Ids隨Vds變化基本呈線性關係。（3）當VdsVgs-Vtn時，由於溝道電阻Rc正比於溝道長度L，而Leff=L-?L變化不大，Rc基本不變，溝道上的電壓降（Vgs-Vtn）基本保持不變。所以，Ids=(Vgs-Vtn)/Rc不變，即電流Ids基本保持不變，出現飽和現象。（4）當Vds增大到一定極限時，由於電壓過高，電晶體被雪崩擊穿，電流急劇增加。2025-4-4*第三節MOS管的電流電壓一、NMOS管的I~V特性推導NMOS管的電流——電壓關係式：設：VgsVtn，且Vgs保持不變，則：溝道中產生感應電荷，根據電流的定義有：其中：2025-4-4*v=?n*Eds?n為電子遷移率（cm2/v*sec）Eds=Vds/L溝道水準方向場強代入：v=（?n*Vds）/L代入：?有了，關鍵是求Qc，需要分區討論：2025-4-4*（1）線性區：Vgs-VtnVds設：Vds沿溝道區線性分佈則：溝道平均電壓等於Vds/2由電磁場理論可知：Qc=?o?ox?Eg?W?L其中：tox為柵氧厚度?o為真空介電常數?ox為二氧化矽的介電常數W為柵的寬度L為柵的長度2025-4-4*令：Cox=?o?ox/tox單位面積柵電容K=Cox??n工藝因數βn=K(W/L)導電因數則：Ids=βn[(Vgs-Vtn)-Vds/2]Vds