CN112993059B 太阳能电池叠层钝化结构及制备方法 （韩华思路信株式会社）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112993059B(45)授权公告日2025.07.08

(21)申请号202110396614.6

(22)申请日2021.04.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112993059A

(43)申请公布日2021.06.18

(66)本国优先权数据

202110065969.72021.01.19CN

(73)专利权人韩华思路信株式会社地址韩国首尔

(72)发明人张学玲柳伟陈红简磊

陈奕峰

(51)Int.CI.

H10F77/30(2025.01)

H10F71/00(2025.01)

(56)对比文件

CN214898453U,2021.11.26CN112201715A,2021.01.08审查员曹如水

(74)专利代理机构北京英赛嘉华知识产权代理

有限责任公司11204专利代理师王达佐洪欣

权利要求书2页说明书10页附图3页

(54)发明名称

CN112993059B(57)摘要

CN112993059B

(57)摘要

本发明提供了太阳能电池叠层钝化结构及制备方法。所述太阳能电池叠层钝化结构包括：P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层。所述制备方法包括：在P型硅衬底背面生成第一介电层，再在所述第一介电层上依次沉积第二介电层和第三介电层。本发明提供的太阳能电池背面叠层钝化结构含有丰富的氢离子或氢原子，具有非常好的化学钝化效果。

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CN112993059B权利要求书1/2页

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1.太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述太阳能电池叠层钝化结构包括：P型硅衬底(1),以及在所述P型硅衬底(1)背面从里到外依次设置的第一介电层(2)、第二介电层(3)和第三介电层(4),

其中所述第一介电层(2)为厚度1-10nm的氧化硅层，所述第二介电层(3)为氮氧化硅层，并且所述第三介电层(4)为氮化硅层，

其中所述第二介电层(3)和所述第三介电层(4)为具有不同折射率的叠层膜结构，

其中在所述第二介电层(3)和所述第三介电层(4)的叠层膜结构中，沿着远离P型硅衬底(1)的方向，各叠层膜的各膜的折射率依次升高，以及所述第二介电层(3)的折射率范围为1.5-2.4,并且所述第三介电层(4)的折射率范围为1.5-2.4。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)的厚度为1-150nm。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层

(3)为PECVD法沉积，厚度为1nm-100nm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第二介电层(3)为折射率范围为1.6-2.2的氮氧化硅与折射率范围为1.7-2.4的氮氧化硅的叠层膜结构。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)的厚度为1-200nm。

6.根据权利要求1或5任一项所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为PECVD法沉积，厚度为10-150nm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第三介电层(4)为折射率范围为1.6-2.2的氮化硅与折射率范围为1.9-2.4的氮化硅的叠层膜结构。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，第二介电层(3)具有1-80nm的厚度，并且第三介电层(4)具有1-100nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述太阳能电池叠层钝化结构还包括在P型硅衬底(1)正面从里到外依次设置的N重扩散区(7)、N+轻扩散区

(8)、第四介电层(9)和第五介电层(6)。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第四介电层(9)为SiO?层。

11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第四介电层(9)的厚度为1-10nm。

12.根据权利要求9所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第五介电层(6)为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中的任意一种或至少两种的组合。

13.根据权利要求9或12所述的太阳能电池叠层钝化结构，其特征在于，所述第五介电层(6)