CN115020374B 形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统 （美光科技公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN115020374B(45)授权公告日2025.07.11

(21)申请号202210198266.6

(22)申请日2022.03.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115020374A

(43)申请公布日2022.09.06

(30)优先权数据

17/249,5522021.03.04US

(73)专利权人美光科技公司地址美国爱达荷州

(72)发明人C·J·拉森徐丽芳

(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司11287

专利代理师王龙

(51)Int.CI.

H01L23/538(2006.01)

H01L21/768(2006.01)H10B41/30(2023.01)

H10B41/20(2023.01)

G11C16/04(2006.01)

(56)对比文件

US2019096810A1,2019.03.28CN107810554A,2018.03.16

审查员魏岳山

权利要求书4页说明书25页附图16页

(54)发明名称

形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统

(57)摘要

本申请涉及形成微电子装置方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括通过电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的至少一个包括两个顶峰区、在第一水平方向上插入所述两个顶峰区之间的体育场结构，及在第二水平方向上邻近体育场结构相对侧的两个桥接区。填充沟槽

竖直上覆于所述块中的至少一个的体育场结构2的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽

CN115020374B包括所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上的电介质衬垫材料，及在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介

CN115020374B

CN115020374B权利要求书1/4页

2

1.一种微电子装置，其包括：

堆叠结构，其包括块，所述块通过电介质槽结构彼此分离且各自包含分层布置的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列，所述块中的至少一个包括：

两个顶峰区；

体育场结构，其在第一水平方向上插入在所述两个顶峰区之间且包括相对阶梯结构，每个阶梯结构具有包括所述层的边缘的梯级；和

两个桥接区，其在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上邻近所述体育场结构的相对侧，且具有与所述两个顶峰区的上表面基本上共面的上表面；以及

填充沟槽，其竖直上覆于所述块中的所述至少一个的所述体育场结构的水平边界且在所述水平边界内，所述填充沟槽包括：

电介质衬垫材料，其在所述体育场结构的所述相对阶梯结构上和所述两个桥接区的内侧壁上；

电介质结构，其在所述电介质衬垫材料上且具有与所述电介质衬垫材料不同的材料组成，所述电介质结构基本上限制在所述体育场结构的所述梯级的水平区域内；和

在所述电介质结构和所述电介质衬垫材料的表面上的电介质填充材料，并且所述电介质填充材料具有至少与所述电介质结构不同的材料组成，所述电介质填充材料在所述第二水平方向上水平插入在所述电介质衬垫材料的部分与所述电介质结构之间。

2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电介质填充材料在所述第一水平方向上水平插入在彼此水平邻近的每对所述电介质结构之间。

3.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述电介质填充材料直接物理接触且基本上覆盖所述电介质衬垫材料在所述两个桥接区的所述内侧壁上的部分的竖直延伸表面。

4.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述填充沟槽的所述电介质填充材料、所述电介质结构和所述电介质衬垫材料并延伸到所述体育场结构的所述梯级中的至少一些的导电接触结构。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的微电子装置，其中：

所述电介质衬垫材料包括电介质氧化物材料；并且

所述电介质结构包括电介质氮化物材料。

6.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述两个桥接区的所述内侧壁上的所述电介质衬垫材料的竖直延伸部分在其上基本上不含所述电介质结构。

7.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述块中的所述至少一个的所述两个桥接区在所述第二水平方向上水平插入在所述填充沟槽的所述电介质衬垫材料与邻近所述块中的所述至少一个的相对侧的两个所述电介质槽结构