CN110444241B 非易失性存储器装置、特别是相变存储器和读取方法 （意法半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110444241B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号201910354621.2

(22)申请日2019.04.29

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110444241A

(43)申请公布日2019.11.12

(30)优先权数据

1020180000050842018.05.04IT

(73)专利权人意法半导体股份有限公司地址意大利阿格拉布里安扎

(72)发明人G·卡姆帕尔多R·安农齐亚塔P·祖里亚尼

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

11256

(51)Int.CI.

G11C16/26(2006.01)

(56)对比文件

CN210015710U,2020.02.04KR100707305B1,2007.04.12审查员闵鸯

专利代理师王茂华郭星

权利要求书4页说明书9页附图8页

(54)发明名称

非易失性存储器装置、特别是相变存储器和读取方法

(57)摘要

CN110444241B本公开的实施例涉及非易失性存储器装置、特别是相变存储器和读取方法。一种非易失性存储器装置具有与连接到存储器单元的位线相关联的电路分支。当读取存储器单元时，在预充电步骤中，对位线进行预充电。在特性漂移步骤中，存储器单元被激活，并且电流源被激活以向第一位线提供漂移电流，并且基于存储在存储器单元中的数据来引起位线进行充电或放电。在检测步骤中，电流源被去激活，存储器单元被去耦，并且位线耦合到比较器级的输入，该比较器级将位线

CN110444241B

CN110444241B权利要求书1/4页

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1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器阵列，由被布置成行和列的多个存储器单元形成，其中存储数据的至少一个第一存储器单元被布置在第一列中并且能够耦合到第一位线；

第一电路分支，与所述第一位线相关联并且具有：

第一节点，被耦合到所述第一位线；

第二节点；输出节点；

开关部件，被配置为选择性地将所述第一节点耦合到所述第一存储器单元，并且将所述第一位线耦合到所述输出节点；

比较器级，具有被耦合到所述输出节点的第一输入、被耦合到参考电压的第二输入、以及提供指示存储在所述第一存储器单元中的数据的输出信号的输出；

第一连接开关，被配置为选择性地将所述第一节点耦合到所述第二节点；以及

第二连接开关，被配置为选择性地将所述第二节点耦合到所述输出节点，

电流源，所述电流源能够被控制以向所述第一位线中注入漂移电流，所述漂移电流具有的值高于当所述第一存储器单元处于第一编程状态时在所述第一存储器单元中通过的电流、并且低于当所述第一存储器单元处于第二编程状态时在所述第一存储器单元中通过的电流；以及

控制单元，被配置为在所述第一存储器单元的读取期间控制所述开关部件以使得：

在预充电步骤中，当所述第一存储器单元被禁用时，所述第一位线以线预充电电压被预充电，所述第一节点和所述第二节点以相应的预充电电压被预充电，并且所述电流源被去激活并且不提供所述漂移电流；

在特性漂移步骤中，当所述第一存储器单元被使能并且被连接到所述第一位线时，所述第一位线与所述输出节点去耦，所述第二连接开关将所述第二节点与所述输出节点去耦，并且所述电流源被激活并且向所述第一位线提供所述漂移电流，从而所述第一位线基于所存储的数据进行充电或放电；以及

在检测步骤中，所述电流源被去激活，所述第二连接开关将所述第二节点连接到所述输出节点，并且所述开关部件将所述第一位线连接到所述输出节点。

2.根据权利要求1所述的装置，还包括被耦合到所述第一节点的第一电容和被耦合到所述输出节点的第二电容；

其中所述控制单元被配置为使得在所述特性漂移步骤之后并且在所述检测步骤之前的共享步骤中，所述第一存储器单元与所述第一节点去耦，所述电流源被去激活，并且所述第二节点被耦合到所述输出节点以在所述第一电容与所述第二电容之间引起电荷共享。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述存储器阵列包括存储数据的第二存储器单元，所述第二存储器单元被布置在第二列中并且能够耦合到不同于所述第一位线的第二位线，所述装置还包括：

第二电路分支，与所述第二位线相关联并且具有：被耦合到所述第二位线的第三节点；第四节点；以及被耦合到所述比较器级的所