CN108336100B 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN108336100B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号201810327453.3

(22)申请日2018.04.12

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN108336100A

(43)申请公布日2018.07.27

(73)专利权人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人刘威

(74)专利代理机构北京润泽恒知识产权代理有限公司11319

专利代理师莎日娜

(51)Int.CI.

H10F39/10(2025.01)

H10D86/60(2025.01)

H10D86/01(2025.01)

(56)对比文件

CN207966980U,2018.10.12审查员戚林锋

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显

示装置

(57)摘要

CN108336100B本发明公开一种阵列基板，包括：形成在衬底基板上的光敏部件，及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层；所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接；其中，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极。本发明实施例的阵列基板，在制备过程中，先形成光敏部件，再在光敏部件上形成薄膜晶体管，避免了光敏部件形成过程中氢元素对薄膜晶体管

CN108336100B

CN108336100B权利要求书1/1页

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1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

形成在衬底基板上的光敏部件，及形成在所述光敏部件远离所述衬底基板一侧的薄膜晶体管和导电层；

所述光敏部件包括层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接；其中，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极；

所述第一电极为遮光层，所述第一电极覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影；

在所述薄膜晶体管与所述第一极之间形成有缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述光敏部

件。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述导电层与所述薄膜晶体管的第一极同层设置。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第一极之间形成有层叠的缓冲层和绝缘层，所述缓冲层靠近所述衬底基板设置，在所述缓冲层上设置有第一过孔，所述绝缘层上设置有第二过孔，所第一极通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述第一电极电连接。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在所述缓冲层上还设置有第三过孔，所述绝缘层上还设置有第四过孔，所述导电层通过所述第三过孔、所述第四过孔与所述第二电极电连接。

6.根据权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述光敏层的材料为PIN型半导体材料。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成光敏部件，所述光敏部件包括依次层叠设置的第一电极、光敏层和第二电极，所述第一电极靠近所述衬底基板设置；

在所述光敏部件上形成薄膜晶体管和导电层，其中，所述第一电极与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二电极与所述导电层电连接，所述第一极为所述薄膜晶体管的源极或漏极；

所述第一电极为遮光层，所述第一电极覆盖所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底基板上的正投影；

在所述薄膜晶体管与所述第一极之间形成有缓冲层，所述缓冲层完全覆盖所述光敏部件。

8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的阵列基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。

CN108336100B说明书1/5页

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一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置

技术领域

[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。

背景技术

[0002]目前，大尺寸的显示面板向高