CN111131987B Mems麦克风及其制造方法 （杭州士兰微电子股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111131987B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号201911216592.X

(22)申请日2019.12.02

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111131987A

(43)申请公布日2020.05.08

(73)专利权人杭州士兰微电子股份有限公司地址310012浙江省杭州市黄姑山路4号

(72)发明人周延青潘华兵郑泉智胡铁刚

(74)专利代理机构北京成创同维知识产权代理有限公司11449

专利代理师蔡纯冯丽欣

(56)对比文件

CN105142086B,2018.09.07CN101253805A,2008.08.27

CN211184242U,2020.08.04CN206341427U,2017.07.18审查员万泽明

(51)Int.CI.

H04R19/04(2006.01)

HO4R31/00(2006.01)

权利要求书4页说明书12页附图11页

(54)发明名称

MEMS麦克风及其制造方法

(57)摘要

公开了一种MEMS麦克风及其制造方法。所述MEMS麦克风包括：衬底；位于所述衬底第一表面上的膜片和背极板电极，所述膜片与所述背极板电极彼此隔开，所述膜片的第一表面与所述背极板电极的第一表面彼此相对；以及贯穿所述衬底到达所述膜片的第二表面的声腔，其中，所述背极板电极位于所述膜片的可动区域上方，并且背极板电极的面积小于膜片的可动区域的面积。该MEMS麦克风采用背极板电极的图案限定有效电容面积，以抑制寄生电容和工艺波动对器件能力的不利影响，以及提高器件的工作灵敏度。

CN111131987B权利要求书1/4页

2

1.一种MEMS麦克风，包括：

衬底；

位于所述衬底第一表面上的膜片和背极板电极，所述膜片与所述背极板电极彼此隔开，所述膜片的第一表面与所述背极板电极的第一表面彼此相对；以及

贯穿所述衬底到达所述膜片的第二表面的声腔，

其中，所述背极板电极位于所述膜片的可动区域上方，并且所述背极板电极的面积小于所述膜片的可动区域的面积，

所述膜片包括中间部分和周边部分、以及连接二者的弹簧结构，所述膜片的可动区域包括所述中间部分的区域和所述弹簧结构的区域，

所述中间部分是有效形变区域，所述弹簧结构是无效形变区域，所述背极板电极的区域与所述膜片的有效形变区域相对应，

其中，所述声腔贯穿所述衬底，以暴露所述膜片的第二表面的中间部分的区域以及弹簧结构的区域。

2.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述背极板电极的面积小于等于所述声腔的最小横截面积。

3.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述背极板电极的面积为所述可动区域的70%~100%。

4.根据权利要求2所述的MEMS麦克风，其中，所述声腔最小横截面的半径为385微米至415微米。

5.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述背极板电极与所述膜片之间的间距为1微米至5微米。

6.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述麦克风的灵敏度Vo|Ac为：

,其中，△C表示所述膜片振动导致的电容变化量，

Cmo表示所述膜片中间部分发生有效形变的有效电容分量，Cp2表示所述膜片的弹簧结构的区域发生无效形变或所述膜片的周边部分的区域无形变的无效电容分量，CL表示所述MEMS麦克风的负载电容，VBIAS表示偏置电压。

7.根据权利要求6所述的MEMS麦克风，其中，所述偏置电压VBIAS为：VBIAS=VDD-Vdclin,其中，VDD表示所述膜片和所述背极板电极之间施加的电压，Vdclin表示所述MEMS麦克风的参考极板的电压。

8.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述膜片的弹簧结构为同心环形的褶皱部分，或者螺旋状的褶皱部分。

9.根据权利要求1所述的MEMS麦克风，其中，所述膜片还包括位于膜片周边部分的加强

肋。

10.根据权利要求9所述的MEMS麦克风，其中，所述膜片的加强肋是位于周边部分的辐射状条形梁或女墙结构。

11.根据权利要求10所述的MEMS麦克风，其中，所述女墙结构包括多个环状切面，所述

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