CN111199878B 多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法 （三星显示有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN111199878B(45)授权公告日2025.07.15

(21)申请号201911112877.9

(22)申请日2019.11.14

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN111199878A

(43)申请公布日2020.05.26

(30)优先权数据

10-2018-01422252018.11.19KR

(73)专利权人三星显示有限公司地址韩国京畿道

(72)发明人李东成徐宗吾苏炳洙李童敏

(74)专利代理机构北京凯伟律师事务所16404专利代理师孙喜

H01L21/205(2006.01)

H10D30/67(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10K59/10(2023.01)

(56)对比文件

JP2002237600A,2002.08.23CN102270570A,2011.12.07

US2004042307A1,2004.03.04CN101248514A,2008.08.20

审查员张志芳

(51)Int.CI.

HO1L21/203(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图7页

(54)发明名称

多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法

(57)摘要134c

CN111199878B公开了多晶硅层的制造方法、显示装置及显示装置的制造方法。用于显示装置的多晶硅层的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成非晶硅层；用氢氟酸清洗非晶硅层；用氢化去离子水漂

CN111199878B

134bTH

134a

SG

120

CN111199878B权利要求书1/2页

2

1.一种用于显示装置的多晶硅层的制造方法，所述方法包括以下步骤：

在衬底上形成非晶硅层；

用氢氟酸清洗所述非晶硅层；

用氢化去离子水漂洗所述非晶硅层；以及

用激光束照射所述非晶硅层以形成多晶硅层，

其中，所述激光束具有在450mJ/cm2至500mJ/cm2的范围内的能量密度，以及

其中，所述多晶硅层具有在150nm至200nm的范围内的晶粒尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述氢氟酸包括0.5%的量的氟化氢。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述非晶硅层被清洗40秒至54秒。

4.如权利要求1所述的方法，其中，

在形成所述非晶硅层的步骤期间，在所述非晶硅层上形成天然氧化物层，以及

在清洗所述非晶硅层的步骤期间，去除所述天然氧化物层。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述氢化去离子水具有1.0ppm的氢浓度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光束具有480μm的宽度，以及所述激光束具有在9μm至30μm的范围内的扫描间距。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅层具有4nm或更小的均方根值的表面粗

糙度。

8.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述多晶硅层的步骤之后，在所述多晶硅层的表面上形成突起，以及

所述突起具有尖的尖端。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述多晶硅层具有随机排列的晶粒。

10.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

在形成所述非晶硅层之前，在所述衬底上形成缓冲层。

11.一种显示装置，包括：

衬底；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管布置在所述衬底上；以及

显示元件，所述显示元件布置在所述薄膜晶体管上，

其中，所述薄膜晶体管包括：

有源图案，所述有源图案布置在所述衬底上，所述有源图案具有4nm或更小的均方根值的表面粗糙度；

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层布置在所述有源图案上；以及

栅电极，所述栅电极布置在所述栅极绝缘层上，

其中，所述有源图案具有在150nm至200nm的范围内的晶粒尺寸并且由用具有在450mJ/cm2至500mJ/cm2的范围内的能量密度的激光束照射非晶硅层而获得的多晶硅层形成。

12.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述有源图案的表面上形成有突起，以及所述突起具有尖的尖端。

13.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述有源图案包括随机排列的晶粒。

14.如权利要求11所述的显示装置，其中，所述有源图案包括源区、漏区和形成在所述源区与所述漏区之间的沟道区。

CN