化学机械抛光液3.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

11#

12#

13#

掺铝二氧化硅（45nm）

10

6

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

10

HF

0.05

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

TBAH

0.3

0.3

0.3

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

BTA

－

0.15

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

四甲基氢氨化铵（TMAH）

－

－

－

0.3

－

－

－

－

－

－

－

－

－

氨水

－

－

－

－

0.3

－

－

－

－

－

－

－

－

氟化铵

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

－

－

－

－

草酸

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

－

－

－

2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸

－

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

－

－

2-羟基膦酰基乙酸

－

－

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

－

氨基三亚甲基膦酸

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

－

酒石酸（TA）

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.3

－

－

氟硅酸铵

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.3

－

氟硼酸铵

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

－

0.3

续上表

原料

配比（质量份）

14#

15#

16#

17#

18#

19#

20#

21#

22#

23#

掺铝二氧化硅（45nm）

10

6

10

1.2

1.64

2

3

6

9

18

氢氟酸

0.027

0.027

0.027

0.003

0.0045

0.006

0.009

0.018

0.027

0.054

四丁基氢氧化铵

0.3

0.3

0.3

0.033

0.05

0.067

0.1

0.2

0.3

0.6

苯并三唑

0.15

－

－

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.1

0.2

2-膦酸丁烷-1,2,4-三羧酸

－

0.1

－

0.044

0.067

0.089

0.13

0.2

0.2

0.4

聚丙烯酸铵

－

－

0.1

0.01

0.01

0.01

0.01

0.01

0.01

0.01

制备方法将各组分简单混合均匀，之后采用PH调节剂调节至合适的PH值即可制得。PH调节剂可选用本领域常规PH调节剂，如氢氧化钾、氨水和硝酸等。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：掺杂金属的二氧化硅1~20、速率促进剂0.05~1。

所述的掺杂金属的二氧化硅为在骨架结构中引入金属元素的二氧化硅。在二氧化硅的骨架结构中引入金属离子是为了增强二氧化硅的强度和稳定性。所述的金属较佳的为铝、锆、铈、金、银、铁、铬或钼，更佳的为铝。所述的掺杂金属的二氧化硅的粒径较佳的为20~80nm。

所述速率促进剂为有机酸、氟化物、氨水以及季钱盐及其衍生物中的一种或多种。掺杂金属的二氧化硅与所述的速率促进剂的配合使用可使得本品抛光液具有较高的电介质（TEOS）的抛光速率。

其中，所述的有机酸优选草酸、2-膦酸丁烷-1,2,4一三羧酸、2-羟基膦酰基乙酸、氨基三亚甲基膦酸和酒石酸中的一种或多种；所述的氟化物优选氟化氢、氟化铵、氟硅酸铵和氟硼酸铵中的一种或多种；所述的季铵盐优选四丁基氢氧化铵、四甲基氢氧化铵和四丁基氟硼酸铵中的一种或多种。

本品所述的速率促进剂可与与掺杂金属的二氧化硅磨料之间形成氢键，或者与抛光基材之间形成氢键，或者同时与掺杂金属的二氧化硅磨料和抛光基材之间形成氢键。仅含速率促进剂的溶液对抛光基材只具有微弱的抛光作用，加入掺杂金属的二氧化硅磨料后，能够显著提升抛光液对TEOS的抛光速率。

本品的抛光液的pH较佳的为2~5。

本品的化学机械抛光液还可进一步本领域常规化学添加剂，如缓蚀剂、氧化剂、络合剂和表面活性剂等。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性本品的化学机械抛光液适用于抛光二氧化硅、掺碳二氧化硅、氮化硅、碳化硅和氮氧化硅等绝缘体材料，其具有较高的TEOS的抛光速率，较高的TEOS对SiN、BD、SiC和SiON中的一种或多种材料的选择比，较低的铜的去除速率。本品的化学机械抛光液在磨料含量较低的情况下，如磨料含量1.2~9％的情况下，仍可达到较高的TEOS的抛光速率，并且具有较好的缺陷控制能力，极大地降低了成本。

参考文献中国专利公告CN－200710171600.4