化学机械抛光液10.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

磨

料

SiO2

2

5

8

10

－

－

3

4

6

Al2O3

－

－

－

－

15

12

－

－

－

氧

化

剂

过氧化氢

0.1

－

－

－

－

8

0.5

1.5

3

过氧化钠

－

1

－

－

－

－

－

－

－

过氧化苯甲酰

－

－

2

－

－

－

－

－

－

过硫酸钠

－

－

－

5

－

－

－

－

－

过硫酸铵

－

－

－

－

10

－

－

－

－

含

氮

有

机

物

乙二胺

1

－

－

－

－

－

－

－

－

二乙烯三胺

－

0.1

－

－

－

－

－

－

－

四乙烯五胺

－

－

0.01

－

－

－

－

－

－

5-羧基-3-氨基-1,2,4三氮唑

－

－

―

0.5

－

－

－

－

－

2-氨基嘧啶

－

－

－

－

0.8

－

－

－

－

3-氨基-1,2,4三氮唑

－

－

－

－

－

0.05

－

－

－

5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑

－

－

－

－

－

－

0.2

－

－

二巯基苯丙噻唑

－

－

－

－

－

－

－

0.4

－

哌嗪六水

－

－

－

－

－

－

－

－

0.5

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

续上表

原料

配比（质量份）

10#

11#

12#

13#

14#

15#

16#

17#

磨料

SiO2

8

12

14

16

5

4

7

6

氧化剂

过氧化氢

2.5

4

6

7

5

2

3

4

含氮有机物

甲基苯丙三氮唑

0.8

－

－

－

－

－

－

－

2,3-二氨基吡啶

－

0.05

－

－

－

－

－

－

1-苯基-5-巯基-四氮唑

－

－

0.2

－

－

－

－

－

吡啶

－

－

－

0.08

－

－

－

－

嘧啶

－

－

－

－

0.02

－

－

－

哌啶

－

－

－

－

－

0.3

－

－

哌嗪

－

－

－

－

－

－

0.1

－

噻唑

－

－

－

－

－

－

－

1

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分简单均匀混合，之后采用氢氧化钾、氨水或硝酸调节至合适的PH值，即可制得抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料2~10、氧化剂0.1~10、含氮有机物0.01~1、水余量。

所述的磨料较佳的为SiO2和/或Al2O3；

所述的氧化剂可选自过氧化物，包括无机过氧化物（如过氧化氢、过氧化钠等）和有机过氧化物（如过氧化苯甲酸），以及过硫化物（如过硫酸钠、过硫酸铵等）等。通常情况下，氧化剂浓度的增高或降低可以相应的增加或减小金属（尤其是铜）的去除速率。实际应用中，通常采用双氧水为氧化剂，并通过调节双氧水的浓度来调节金属的去除速率。

所述的含氮有机物的添加可提高TEOS的去除速率，而使得以增大磨料粒子含量的方法达到相同目的而引起的表面污染情况降至最低。通常磨料粒子的含量大于15％就可能引起表面划伤和颗粒物残留等表面问题。

其中，所述的含有1一4个氮原子的杂环化合物及其衍生物较佳的选自吡啶、嘧啶、哌啶、哌嗪、噻唑、三唑、四唑，以及上述化合物的衍生物中的一种或多种，所述的衍生物较佳的为带巯基和／或氨基的衍生物，优选化合物为5-羧基-3-氨基-1,2,4三氮唑、2-氨基嘧啶、3-氨基-1,2,4三氮唑、5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑、二巯基苯丙噻唑、哌嗪六水、甲基苯丙三氮唑、2,3-二氨基吡啶和1-苯基-5-巯基-四氮唑中的一种或多种。其中，所述的胺类化合物较佳的选自二胺、二乙烯三胺和多烯多胺中的一种或多种。

本品的抛光液的pH值较佳的为1~7，更佳的为2~5。

本品的抛光液还可进一步含有其它本领域常见的添加剂，例如络合剂、缓蚀剂、杀菌剂、稳定剂和表面活性剂等。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性本品的抛光液在较低的磨料粒子含量下具有较高的阻挡层材料（Ta或TaN）的去除速率，与未添加含氮有机物的抛光液相比显著提高的绝缘层材料（TEOS）的去除速率，以及约为100~500A/min范围内的低介电材料（BD）的去除速率。本品的Cu的去除速率可通过升高或降低氧化剂含量而相应的升高或降低。本品的抛光液可满足阻挡层抛光过程中用化学方法调整绝缘层材料和金属抛光选择比的要求，避免通过增大磨料粒子含量达到相同目的而引起的表面污染物残留等问题，从而提供满足工艺要求

参考文献中国专利公告CN－200710172712.1