化学机械抛光液46.docVIP

化学机械抛光液

原料配比

原料

配比（质量份）

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

磨

料

SiO2（10nm）

0.1

－

－

－

－

－

－

－

－

SiO2（15nm）

－

1

－

－

－

10

－

－

－

SiO2（20nm）

－

－

5

－

－

－

10

－

－

SiO2（25nm）

－

－

－

10

－

－

－

－

－

SiO2（30nm）

－

－

－

－

8

－

－

－

－

Al2O3（10nm）

－

－

－

－

－

－

－

15

－

Al2O3（30nm）

－

－

－

－

－

－

－

－

20

氧化剂H2O2

0.1

1

2

5

3

5

5

8

10

络

合

剂

5-羧基-3-氨基-1,2,4-三氮唑

0.1

－

－

－

－

－

－

－

3

3-氨基-1,2,4-三氮唑

－

0.2

－

－

－

－

－

3

－

乙胺嘧啶

－

－

1

－

－

－

－

－

2

哌嗪六水

－

－

－

2

－

－

－

－

－

1,2,4-三氮唑

－

－

－

－

1

－

－

－

－

哌嗪

－

－

－

－

－

2

－

－

－

嘧啶

－

－

－

－

－

－

2

－

－

表

面

活

性

剂

聚乙烯亚胺（分子量2000）

－

－

－

10ppm

－

－

－

－

－

聚乙烯亚胺（分子量50000）

－

－

－

－

25ppm

－

－

－

－

十六烷基三甲基氯化铵

－

－

－

－

25ppm

－

100ppm

500ppm

－

聚乙烯亚胺（分子量10000）

－

－

－

－

－

100ppm

－

－

－

聚乙二醇（分子量400）

－

－

－

－

－

－

－

－

1000ppm

PH调

节剂

硝酸

0.15

0.1

0.05

0.01

0.008

0.008

0.01

－

－

KOH

－

－

－

－

－

－

－

0.009

－

水

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分混合均匀，即可制得抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料0.1~20、氧化剂0.1~10、络合剂0.1~5、表面活性剂10~1000ppm、PH调节剂0.001~0.1、水余量。

所述的磨料可选用本领域常用磨料，如SiO2和Al2O3等。

所述络合剂为三氮唑、碳原子上含有给电子取代基的三唑化合物、嘧啶、嘧啶衍生物、哌嗪和哌嗪衍生物中的一种或多种。

其中，所述的三氮唑较佳的为1，2，4-三氮唑；所述的碳原子上含有给电子取代基的三唑化合物较佳的为5-羧基-3-氨基-1，2，4三氮唑或3-氨基-1，2，4-三氮唑；所述的嘧啶衍生物较佳的为乙胺嘧啶；所述的哌嗪衍生物较佳的为哌嗪六水。

所述表面活性剂为阳离子表面活性剂、季氨盐型表面活性剂和非离子型表面活性剂中的一种或多种。其中，所述的阳离子表面活性剂较佳的为分子量为2000～50000的聚乙烯亚胺；所述的季氨盐型表面活性剂较佳的为十六烷基三甲基氯化铵；所述的非离子型表面活性剂较佳的为聚乙二醇。添加上述表面活性剂后，本发明的抛光液对阻挡层Ta具有较低的去除速率，在抛光过程中可使得铜的抛光在软着陆阶段停止在阻挡层上面。

本品的抛光液还可含有本领域其他常规添加剂，如缓蚀剂、杀菌剂、防霉剂和有机溶剂等。

本品的抛光液的pH值较佳的为1～7，更佳的为2～5。

产品应用本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性本品的抛光液对Cu的去除速率对双氧水含量变化的敏感度较高。添加阳离子表面活性剂、季氨盐型表面活性剂和非离子型表面活性剂后，本品的抛光液对阻挡层Ta具有较低的去除速率，在抛光过程中可使得铜的抛光在软着陆阶段停止在阻挡层上面，适合软着陆或阻挡层的抛光。大大降低了溶胶型二氧化硅的颗粒粒径，减小对抛光材料的过度研磨，使得抛光效果更细腻。采用本发明的抛光液抛光后，铜表面比较光滑，表面形貌较好。

参考文献中国专利公告CN－200910247666.6