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- 2026-01-23 发布于河北
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金属铜的抛光液
原料配比
原料
配比(质量份)
1#
2#
3#
4#
5#
6#
7#
8#
9#
10#
11#
12#
磨
料
SiO2
0.1
1
5
10
-
0.1
1
5
-
-
-
-
Al2O3
-
-
-
-
15
-
-
-
-
15
-
20
TiO2
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
CeO2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
-
氧
化
剂
H2O2
0.1
1
-
-
8
0.1
1
2
5
8
4
10
过氧化苯甲酰
-
-
2
-
-
-
―
-
-
-
-
-
过硫酸钾
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5
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-
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-
-
-
络
合
剂
乙胺嘧啶
0.1
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-
-
-
-
2
2-哌啶甲酸
-
0.2
-
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-
-
-
4-氨基-1,2,4-三氮唑
-
-
1
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-
哌嗪六水
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2
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5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑
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3
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嘧啶
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0.1
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4-巯基-1,2,4-三氮唑
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0.2
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-
哌嗪
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1
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-
哌啶
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2
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2-丁基哌啶
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3
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2-甲基哌啶
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2
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2-哌啶丁酸
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-
3
水
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
余量
制备方法将各组分简单混合均匀,之后采用氢氧化钾、氨水和硝酸等PH调节剂调节至合适的PH值即可。
原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨料0.1~20、氧化剂0.1~10、络合剂0.1~5、水余量。
所述磨料可选用本领域常用磨料,如SiO2和Al2O3等。
所述氧化剂较佳的选自有机或无机过氧化物和/或过硫化物,优选过氧化氢、过硫酸盐或过氧化苯甲酰。
所述络合剂选用嘧啶及其衍生物、带氨基和/或巯基的三唑环、哌啶及其衍生物,哌嗪及其衍生物。
其中,所述的络合剂较佳的选自乙胺嘧啶、4-氨基-1,2,4-三氮唑、5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑、哌啶、2-哌啶甲酸和哌嗪六水中的一种或多种。
上述络合剂在低下压力的条件下,可在铜表面形成一层保护膜,阻止Cu的去除,使得Cu去除速率较低,当增大压力后,形成的保护膜在磨料粒子的机械力作用下受到破坏,使得与铜离子的络合反应快速进行,而使得去除速率大幅提高。
其中,当选用哌嗪及其衍生物(如哌嗪六水)时,本品的抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,节约时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形貌的同时使抛光停止在阻挡层上。
其中,当选用带氨基和/或巯基的三唑环(如5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑)时,本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。
本品的抛光液还可含有本领域常规添加剂,如成膜剂、表面活性剂和杀菌剂等。
本品的抛光液的pH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。
产品应用本品主要应用于金属铜的抛光。
产品特性本品的抛光液具有的Cu的去除速率对下压力变化的敏感度较高。采用本品的抛光液抛光后,铜表面比较光滑,表面形貌较好。其中,选用哌嗪六水时的本品的抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,缩短时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形貌的同时使抛光停止在阻挡层上。选用5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑的本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。
参考文献中国专利公告CN-200710047467.1
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