金属铜的抛光液1.docVIP

  • 0
  • 0
  • 约1.72千字
  • 约 2页
  • 2026-01-23 发布于河北
  • 举报

金属铜的抛光液

原料配比

原料

配比(质量份)

1#

2#

3#

4#

5#

6#

7#

8#

9#

10#

11#

12#

SiO2

0.1

1

5

10

0.1

1

5

Al2O3

15

15

20

TiO2

10

CeO2

10

H2O2

0.1

1

8

0.1

1

2

5

8

4

10

过氧化苯甲酰

2

过硫酸钾

5

乙胺嘧啶

0.1

2

2-哌啶甲酸

0.2

4-氨基-1,2,4-三氮唑

1

哌嗪六水

2

5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑

3

嘧啶

0.1

4-巯基-1,2,4-三氮唑

0.2

哌嗪

1

哌啶

2

2-丁基哌啶

3

2-甲基哌啶

2

2-哌啶丁酸

3

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

余量

制备方法将各组分简单混合均匀,之后采用氢氧化钾、氨水和硝酸等PH调节剂调节至合适的PH值即可。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为:磨料0.1~20、氧化剂0.1~10、络合剂0.1~5、水余量。

所述磨料可选用本领域常用磨料,如SiO2和Al2O3等。

所述氧化剂较佳的选自有机或无机过氧化物和/或过硫化物,优选过氧化氢、过硫酸盐或过氧化苯甲酰。

所述络合剂选用嘧啶及其衍生物、带氨基和/或巯基的三唑环、哌啶及其衍生物,哌嗪及其衍生物。

其中,所述的络合剂较佳的选自乙胺嘧啶、4-氨基-1,2,4-三氮唑、5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑、哌啶、2-哌啶甲酸和哌嗪六水中的一种或多种。

上述络合剂在低下压力的条件下,可在铜表面形成一层保护膜,阻止Cu的去除,使得Cu去除速率较低,当增大压力后,形成的保护膜在磨料粒子的机械力作用下受到破坏,使得与铜离子的络合反应快速进行,而使得去除速率大幅提高。

其中,当选用哌嗪及其衍生物(如哌嗪六水)时,本品的抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,节约时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形貌的同时使抛光停止在阻挡层上。

其中,当选用带氨基和/或巯基的三唑环(如5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑)时,本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。

本品的抛光液还可含有本领域常规添加剂,如成膜剂、表面活性剂和杀菌剂等。

本品的抛光液的pH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。

产品应用本品主要应用于金属铜的抛光。

产品特性本品的抛光液具有的Cu的去除速率对下压力变化的敏感度较高。采用本品的抛光液抛光后,铜表面比较光滑,表面形貌较好。其中,选用哌嗪六水时的本品的抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,缩短时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好的表面形貌的同时使抛光停止在阻挡层上。选用5-巯基-3-氨基-1,2,4三唑的本品的抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。

参考文献中国专利公告CN-200710047467.1

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档