CN118841341B 一种氧化镓ldmosfet器件加工的控制方法及系统 （深圳市港祥辉电子有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118841341B(45)授权公告日2025.01.10

(21)申请号202411325076.1

(22)申请日2024.09.23

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN118841341A

(43)申请公布日2024.10.25

H10D30/01(2025.01)

H10D30/65(2025.01)

(56)对比文件

CN116949568A,2023.10.27审查员李纯菊

(73)专利权人深圳市港祥辉电子有限公司

地址518000广东省深圳市福田区梅林街

道梅都社区中康路136号深圳新一代

产业园3栋1301

(72)发明人王刚李成兵

(74)专利代理机构深圳正和天下专利代理事务所(普通合伙)44581

专利代理师赫巧莉

(51)Int.CI.

HO1L21/66(2006.01)权利要求书4页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法及系统

(57)摘要

CN118841341B本发明涉及加工控制技术领域，具体地公开了一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法及系统，包括：步骤一：对外延生长阶段中的外延层进行检测，获取检测数据；步骤二：基于检测数据，计算获得检测系数；步骤三：基于检测系数，对外延层的厚度进行评估，判断外延层的厚度是否合格，并生成厚度评估信号；步骤四：基于厚度不合格信号，分析温度波动是否对外延层的生长产生影响，并生成影响评估信号；步骤五：基于温度有影响信号，对后续外延生长阶段的温度波动范围进行限定本发明能够动态调整外延生长阶段的温度波动范围，有效抑制温度波动对外延层

CN118841341B

获取检测数据

获取检测数据

计算获得检测系数

对外延层的厚度进行评估，

判断外延层的厚度是否合格

厚度合格信号厚度不合格信号

分析温度波动是否对外延层在生长产生影响，并生成影响评估信

温度有影响信号温度无影响信号

CN118841341B权利要求书1/4页

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1.一种氧化镓LDMOSFET器件加工的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：外延生长阶段和光刻与刻蚀阶段，并对其中外延生长阶段中的外延层进行评估检测，具体方法为以下步骤：

步骤一：对外延生长阶段中的外延层进行检测，获取检测数据；

其中，检测数据包括：厚度系数和均匀系数；

步骤二：基于检测数据，计算获得检测系数；

步骤三：基于检测系数，对外延层的厚度进行评估，判断外延层的厚度是否合格，并生成厚度评估信号；

其中，厚度评估信号包括：厚度合格信号和厚度不合格信号；

步骤四：基于厚度不合格信号，分析温度波动是否对外延层的生长产生影响，并生成影响评估信号；

其中影响评估信号包括：温度有影响信号和温度无影响信号；

步骤五：基于温度有影响信号，对后续外延生长阶段的温度波动范围进行限定；

所述检测系数的获取过程为：

获取外延层的厚度系数和均匀系数，通过公式：,计算获得检测系数JC,其中，a?、a?为预设比例因子，且均大于0,HD为厚度系数，JY为均匀系数；

所述生成厚度评估信号的方法为：

将检测系数与检测系数阈值进行对比分析，从而生成厚度评估信号；

若检测系数检测系数阈值，则生成厚度合格信号；

若检测系数≥检测系数阈值，则生成厚度不合格信号；

所述生成影响评估信号的方法为：

基于厚度不合格信号，实时获取外延生长阶段的温度值，获取温度异常时段；

基于分析温度异常时段，均匀系数的变化情况，计算获得均匀系数变化值；

同时，获得该温度异常时段的异常时段波动值；将异常时段波动值与均匀系数变化值进行比值计算，获得该温度异常时段的异常影响值；

将所有温度异常时段的异常影响值进行方差值计算，获得影响系数；

预设影响系数阈值，将影响系数与影响系数阈值进行对比分析；

若影响系数影响系数阈值，则生成温度有影响信号；

若影响系数≥影响系数阈值，则生成温度无影响信号；

所述对后续外延生长阶段的温度波动范围进行限定的具体方法为：

基于温度有影响信号，提取此次外延生长阶段从开始时间至当前时间的温度最大值和温度最小值，获得当前温度波动