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2026校招：工艺整合笔试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10题）

1.以下哪种不是常见光刻工艺中的光刻胶类型？

A.正性光刻胶

B.负性光刻胶

C.中性光刻胶

D.化学放大光刻胶

2.化学气相沉积（CVD）主要用于？

A.刻蚀

B.镀膜

C.光刻

D.清洗

3.氧化工艺生成的氧化层主要作用是？

A.提高导电性

B.增加机械强度

C.隔离和保护

D.降低散热

4.离子注入的主要目的是？

A.改变材料颜色

B.改变材料电学性能

C.增加材料硬度

D.去除表面杂质

5.以下哪种不属于干法刻蚀？

A.等离子体刻蚀

B.反应离子刻蚀

C.化学湿刻

D.溅射刻蚀

6.CMP工艺的全称是？

A.化学机械抛光

B.化学气相沉积

C.物理气相沉积

D.离子注入

7.光刻工艺的关键步骤不包括？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.退火

8.MOSFET结构中，控制电流导通与截止的是？

A.源极

B.漏极

C.栅极

D.衬底

9.晶圆制造中，通常使用的硅片是？

A.单晶硅

B.多晶硅

C.非晶硅

D.碳化硅

10.为防止金属布线间短路，常采用的绝缘材料是？

A.多晶硅

B.二氧化硅

C.铝

D.铜

答案：1.C2.B3.C4.B5.C6.A7.D8.C9.A10.B

二、多项选择题（每题2分，共10题）

1.工艺整合中涉及的主要工艺有？

A.光刻

B.刻蚀

C.镀膜

D.离子注入

2.氧化工艺的方法有？

A.干氧氧化

B.湿氧氧化

C.水汽氧化

D.等离子体氧化

3.影响光刻分辨率的因素有？

A.光源波长

B.光刻胶性能

C.物镜数值孔径

D.曝光剂量

4.刻蚀工艺的要求包括？

A.高刻蚀速率

B.高选择比

C.低损伤

D.均匀性好

5.常见的金属布线材料有？

A.铝

B.铜

C.金

D.银

6.工艺整合中需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.成本控制

C.良率提升

D.生产效率

7.离子注入工艺的参数有？

A.注入剂量

B.注入能量

C.注入角度

D.注入温度

8.化学机械抛光（CMP）的作用有？

A.表面平坦化

B.去除表面杂质

C.改善材料性能

D.调整薄膜厚度

9.MOSFET按沟道类型可分为？

A.n沟道

B.p沟道

C.双沟道

D.无沟道

10.工艺整合的优化目标包括？

A.提高性能

B.降低功耗

C.缩小尺寸

D.增强可靠性

答案：1.ABCD2.ABC3.ABCD4.ABCD5.AB6.ABCD7.ABC8.ABD9.AB10.ABCD

三、判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺中，正性光刻胶曝光部分会被显影液溶解。（）

2.化学气相沉积（CVD）只能沉积金属薄膜。（）

3.离子注入后不需要退火处理。（）

4.干法刻蚀比湿法刻蚀的选择比更高。（）

5.氧化层的厚度可以通过控制氧化时间和温度来调节。（）

6.CMP工艺只能用于平面化，不能去除材料。（）

7.光刻分辨率越高，能制造的器件尺寸越小。（）

8.MOSFET的源极和漏极是可以互换的。（）

9.工艺整合就是简单地将各种工艺组合在一起。（）

10.硅片清洗主要是为了去除表面有机物和颗粒杂质。（）

答案：1.√2.×3.×4.×5.√6.×7.√8.√9.×10.√

四、简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本流程。

答案：光刻基本流程为：首先在硅片上涂覆光刻胶，接着进行曝光，使光刻胶发生光化学反应，然后用显影液显影，去除曝光或未曝光部分光刻胶，最后进行刻蚀等后续工艺，将光刻胶图案转移到硅片上。

2.化学机械抛光（CMP）的原理是什么？

答案：CMP利用化学腐蚀和机械研磨相结合原理。抛光液中的化学物质与材料表面发生化学反应，生成容易去除的反应层，再通过磨粒的机械摩擦作用，将反应层去除，实现表面平坦化与材料去除调整。

3.离子注入后为什么需要退火处理？

答案：离子注入会使晶格损伤，退火能修复晶格，使注入离子激活并进入替代位置，恢复材料电学性能。同时消除注入产生的应力，防止材料性能下降与器件失效。

4.工艺整合中需要注意哪些工艺兼容性问题？

答案：要注意不同工艺对材料的影响是否相互兼容，例如光刻胶与刻蚀工艺、镀膜与氧化工艺。不同工艺温度、化学环境等条件也需协调，避免影响后续工艺或降低器件性能、良率。

五、讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻