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探索Me-Si-N薄膜制备工艺与性能表征：多维度研究与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学不断演进的历程中，新型薄膜材料始终是研究的焦点之一。Me-Si-N薄膜作为一种极具潜力的新型材料，在众多领域展现出独特的优势，逐渐成为材料科学领域的研究热点。

从电子领域来看，随着电子产品不断向小型化、高性能化方向发展，对电子器件的性能和可靠性提出了更高要求。Me-Si-N薄膜具有优异的电学性能，如高介电常数、低介电损耗以及良好的热稳定性，使其在集成电路、电容器、场效应晶体管等电子器件中具有潜在的应用价值。例如，在集成电路中，使用Me-Si-N薄膜作为绝