CN119451559A 一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作方法 （福建理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119451559A(43)申请公布日2025.02.14

(21)申请号202411566682.2

(22)申请日2024.11.05

(66)本国优先权数据

202411199418.X2024.08.29CN

(71)申请人福建理工大学

地址350100福建省福州市闽侯县上街镇

学府南路69号

(72)发明人张国成王弘禹唐建川曾自力

(74)专利代理机构福州君诚知识产权代理有限公司35211

专利代理师戴雨君

(51)Int.CI.

H1ON70/20(2023.01)

H1ON70/00(2023.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作

方法

(57)摘要

CN119451559A本发明公开了一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作方法。所述的忆阻器器件从下往上依次为底电极、阻变层和顶电极，所述底电极为P型高掺杂的纯硅片，所述阻变层为氧化物薄膜层，所述顶电极为热蒸发的银电极。所述的忆阻器的阻变机理主要为银导电丝的连接与断开，在不同的限制电流下会显示出不同的开关行为，使得该忆阻器可以通过调节软击穿的限制电流来切换易失性与非易失性俩种模式，若软击穿时的限制电流Icc较大，则器件表现出稳定非易失性；若Icc较小，银导电丝较为脆弱，易于断开，因此

CN119451559A

Ag

Ga?O?

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120

100

CN119451559A权利要求书1/1页

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1.一种双模式的人工神经元忆阻器，其特征在于，所述的忆阻器器件从下往上依次为底电极、阻变层和顶电极，所述底电极为P型高掺杂的纯硅片，所述阻变层为氧化物薄膜层，所述顶电极为热蒸发的银电极。

2.根据权利要求1所述的一种双模式的人工神经元忆阻器，其特征在于，所述的氧化物薄膜层由氧化镓成型。

3.根据权利要求1所述的一种双模式的人工神经元忆阻器，其特征在于，所述阻变层的厚度为20~100nm,顶电极的厚度为40~60nm。

4.如权利要求1~3任一项所述的一种双模式的人工神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:以P型高掺杂的纯硅片彻底作为底电极，将衬底硅片置于超声波清洗槽中进行清洗，清洗完后立即用氮气喷枪吹干衬底表面残留的液体，随后将清洗后的硅片用640~680W的氧等离子体功率处理10~15分钟，以改善表面的亲水性；

S2:配制阻变层氧化物前驱体溶液，将前驱体溶液旋涂于步骤S1处理后的衬底上，前驱体溶液旋涂成膜后，将衬底置于加热台上进行退火处理，得到阻变层；

S3:通过热蒸发方式将银颗粒蒸发在阻变层上，得到银电极。

5.根据权利要求4所述的一种双模式的人工神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S1中，所述的衬底硅片置于超声波清洗槽中，依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗5~10分

钟。

6.根据权利要求4所述的一种双模式的人工神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S2中所述的阻变层氧化物前驱体溶液的制备方法为：将硝酸镓水合物溶于乙二醇甲醚，待硝酸镓水合物完全溶解后，加入乙醇胺，55~65℃下搅拌55~65min,将搅拌好的溶液用0.45um的滤头过滤至新瓶，之后避光、密封条件下静置24h,得到阻变层氧化物前驱体溶液。

7.根据权利要求4所述的一种双模式的人工神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S2中，所述的前驱体溶液使用分步旋涂旋至步骤S1处理后的衬底上，第一步旋涂是在转速450~550rpm下旋涂5~6s,第二步旋涂是在转速2800~3200rpm下旋涂30s。

8.根据权利要求4所述的一种双模式的人工神经元忆阻器的制作方法，其特征在于，步骤S2中，所述的退火处理是先在100℃预退火10~12min,之后300℃高温退火55~65min。

CN119451559A说明书1/4页

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一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于有机半导体制造技术领域，具体涉及一种双模式的人工神经元忆阻器及其制作方法。

背景技术

[0002]