基于声子水动力学方程分析全环绕栅极晶体管的瞬态热输运过程.pdfVIP

物理学报ActaPhys.Sin.Vol.73,No.14(2024)144401

基于声子水动力学方程分析全环绕栅极

晶体管的瞬态热输运过程*

1)2)1)1)3)†2)4)‡

刘哲魏浩崔海航孙锴孙博华

1)(西安建筑科技大学建筑设备科学与工程学院,西安710055)

2)(西安建筑科技大学力学技术研究院,西安710055)

3)(中国科学院微电子研究所,北京100029)

4)(中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京101400)

(2024年4月9日收到;2024年5月28日收到修改稿)

相较于经典的傅里叶定律,声子水动力学模型在描述纳米尺度超快声子热输运中已经展现出显著优势.

全环绕栅极晶体管(GAAFET)通过三维沟道设计极大优化了电学性能,但其纳米尺度特征也导致自热问题

和局部过热的挑战.基于此,本文针对纳米尺度GAAFET器件内的声子热传输特性开展理论和数值模拟分

析.首先,基于声子玻尔兹曼方程严格推导了声子水动力学模型和边界条件,建立了基于有限元的数值求解

手段,针对新型的GAAFET器件,分析了表面粗糙度、沟道长度、沟道半径、栅极电介质、界面热阻等因素

对其热传输特性的影响规律.研究结果表明,本文构建的连续介质框架下基于声子水动力学模型及温度跳跃

条件的非傅里叶热分析方法能够精确预测GAAFET内部非傅里叶声子导热过程,并揭示声子阻尼散射和声

子/界面散射的作用机制.这项工作为进一步优化GAAFET的热可靠性设计,提高其热稳定性和工作性能提

供了重要的理论支持.

关键词：全环绕栅极晶体管,声子水动力学模型,温度跳跃,非傅里叶热分析

PACS：44.10.+i,65.80.–g,63.20.kg,63.22.–mDOI:10.7498/aps.73

致自热效应和局部过热问题日益凸显.这些问题严

1引言重威胁到晶体管的可靠性及电学性能的进一步提

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升,已成为芯片设计和热管理领域的痛点问题.

目前,随着半导体芯片工艺制程的持续缩短,因此,深入研究和分析GAAFET的热分布特性,对

传统的平面晶体管已经逐渐接近其物理极限.全环