CN119229927A 基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备 （广州市南沙区北科光子感知技术研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119229927A(43)申请公布日2024.12.31

(21)申请号202411276019.9H10N30/074(2023.01)

(22)申请日2024.09.12

(71)申请人广州市南沙区北科光子感知技术研

究院

地址511400广东省广州市南沙区珠江街

南江二路8号9栋1层、2层申请人北京信息科技大学

(72)发明人祝连庆杨莉鹿利单陈伟强董明利何彦霖

(74)专利代理机构北京慧智兴达知识产权代理有限公司11615

专利代理师李丽颖

(51)Int.CI.

G11C13/04(2006.01)

H10B69/00(2023.01)

权利要求书2页说明书8页附图3页

(54)发明名称

基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备

(57)摘要

CN119229927A本发明涉及硅基光子集成技术领域，提供了一种基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备，该基于光存储介质的波导存储器及其制作方法包括：通过对跑道型微环谐振器进行仿真，确认跑道微环谐振腔与总线波导之间的最优耦合间隙和最优耦合长度，制作芯层，根据最优耦合间隙和最优耦合长度在芯层上形成跑道微环谐振腔和总线波导，并利用磁控溅射在总线波导上沉积光存储介质，所述光存储介质在外部激励作用下会改变应激位置的相变状态，以通过光存储介质的不同相态实现信息的存储。本发明还提供了基于该制作方法得到的波导存储器和存储设备。本发明制备方法得到的波导存储器

CN119229927A

对跑道型微环谐振器进行仿真：对跑道微环谐振腔与总线波

导之间的耦合间隙和耦合长度进行仿真得到最优耦合间隙和

最优耦合长度，跑道型微环谐振器包括芯层和设置在芯层的

跑道型微环结构，跑道型微环结构包括跑道微环谐振腔、总

线波导和设置在总线波导上的位于总线波导与跑道微环谐振

腔的耦合区域的光存储介质

制作芯层：制备衬底，并依次将衬底置于丙酮溶液、异丙醇溶液中进行超声清洗，去除衬底上的杂质得到芯层

形成波导结构：根据仿真得到的最优耦合间隙和最优耦合长

度，通过电子束曝光技术在芯层上进行跑道微环谐振腔和总

线波导的曝光

沉积光存储介质：准备光存储介质靶材，利用磁控溅射在曝

光波导结构后的衬底上沉积光存储介质，沉积厚度为1~100

nm,光存储介质在外部激励作用下改变应激位置的相变状

态，以通过光存储介质的不同相态进行信息的存储

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CN119229927A权利要求书1/2页

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1.一种基于光存储介质的波导存储器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

对跑道型微环谐振器进行仿真：对跑道微环谐振腔与总线波导之间的耦合间隙和耦合长度进行仿真得到最优耦合间隙和最优耦合长度，跑道型微环谐振器包括芯层和设置在芯层的跑道型微环结构，跑道型微环结构包括跑道微环谐振腔、总线波导和设置在总线波导上的位于总线波导与跑道微环谐振腔的耦合区域的光存储介质；

制作芯层：制备衬底，并依次将衬底置于丙酮溶液、异丙醇溶液中进行超声清洗，去除衬底上的杂质得到芯层；

形成波导结构：根据仿真得到的最优耦合间隙和最优耦合长度，通过电子束曝光技术在芯层上进行跑道微环谐振腔和总线波导的曝光；

沉积光存储介质：准备光存储介质靶材，利用磁控溅射在曝光波导结构后的总线波导上沉积光存储介质，沉积厚度为1～100nm,光存储介质在外部激励作用下改变应激位置的相变状态，以通过光存储介质的不同相态进行信息的存储。

2.根据权利要求1所述的基于光存储介质的波导存储器的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

沉积介质薄膜：利用原子层沉积技术在光存储介质表面沉积包层介质薄膜，沉积厚度10～30nm。

3.根据权利要求1所述的基于光存储介质的波导存储器的制作方法，其特征在于，沉积光存储介质步骤中磁控溅射的溅射条件为：

功率范围50～120W,转速10～20r/min,溅射时间1～10min。

4.根据权利要求1所述的基于光存储介质的波导存储器的制作方法，其特征在于，在沉积光存储介质之前，还包括：

向磁控溅射环境通入冷却水；

将执行磁控溅射技术的反应室内进行抽真空处理，随后通入保护气体，使得反应室内的最终气压范围为0.5～2Pa。

5.