CN118645819B 宽频带微波吸收超结构及其制作方法 （北京理工大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN118645819B

(45)授权公告日2024.11.01

(21)申请号202411074032.6(56)对比文件

(22)申请日2024.08.07CN104852153A,2015.08.19

CN113161755A,2021.07.23

(65)同一申请的已公布的文献号

审查员韩雪玲

申请公布号CN118645819A

(43)申请公布日2024.09.13

(73)专利权人北京理工大学

地址100080北京市海淀区中关村南大街5

号

(72)发明人黄怿行李营董怀玉赵天

(74)专利代理机构深圳中一联合知识产权代理

有限公司44414

专利代理师谢蓓

(51)Int.Cl.

H01Q17/00(2006.01)

H05K9/00(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图10页

(54)发明名称

宽频带微波吸收超结构及其制作方法

(57)摘要

本申请属于微波吸收超结构技术领域，提供

了一种宽频带微波吸收超结构及其制作方法，宽

频带微波吸收超结构包括单胞，所述单胞包括吸

波支撑件，所述吸波支撑件包括沿其高度方向相

对设置的底端和顶端，所述吸波支撑件的横截面

从所述底端到所述顶端逐渐变小；底板，所述底

板连接于所述底端；微波吸收组件，所述微波吸

收组件包括多个片体，各所述片体分别连接于所

述吸波支撑件的侧面，且多个所述片体环绕所述

高度方向分布。本申请能够解决超结构在宽频带

内难以获得良好阻抗匹配的技术问题。

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CN118645819B权利要求书1/2页

1.一种宽频带微波吸收超结构，其特征在于，包括单胞，所述单胞包括：

吸波支撑件，所述吸波支撑件包括沿其高度方向相对设置的底端和顶端，所述吸波支

撑件的横截面从所述底端到所述顶端逐渐变小；

底板，所述底板连接于所述底端；

微波吸收组件，所述微波吸收组件包括多个片体，各所述片体分别连接于所述吸波支

撑件的侧面，且多个所述片体环绕所述吸波支撑件高度方向分布。

2.如权利要求1所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，所述吸波支撑件为圆台状

结构。

3.如权利要求1所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，所述片体为椭圆形的薄

片，所述片体的长半轴与所述吸波支撑件的高度方向垂直。

4.如权利要求3所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，每个所述微波吸收组件包

括3‑6个所述片体，且多个所述片体等间隔设置。

5.如权利要求3所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，所述微波吸收组件中的多

个所述片体等高设置，所述微波吸收组件沿着所述吸波支撑件的高度方向设置有多层。

6.如权利要求1‑5中任一项所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，所述底板、吸

波支撑件和片体为聚乳酸与碳纤维制成，所述碳纤维的质量占比为8%‑10%。

7.如权利要求1‑5中任一项所述的宽频带微波吸收超结构，其特征在于，包括多个阵列

设置的所述单胞，相邻所述单胞的所述底板相连接。

8.一种宽频带微波吸收超结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作如权

利要求1‑7中任一项所述的宽频带微波吸收超结构，所述制作方法包括