半导体物理北交经典课件考研必备第五章详解.pptVIP

小注入时非子的寿命决定于少子的寿命。(3)大注入第62页，共128页。4．有效复合中心第63页，共128页。若：第64页，共128页。第65页，共128页。当时，最小,ui极大位于禁带中央的深能级是最有效的复合中心第66页，共128页。●如果Et?Ec，那么由Ec—Et决定的n1大，n1决定发射电子的产生率En=rnntn1大，电子容易从Et能级上发射出去，进入导带，un=Cn-En?，●如果Et?EV，那么p1?，Et能级向价带发射的空穴数?，Et上净俘获的空穴几率up?。浅能级不能起有效的复合中心的作用第67页，共128页。四、表面复合—-半导体表面发生的复合过程1．表面复合率usus：单位时间流过单位表面积的非平衡载流子，单位：个/s·cm2：为样品表面处单位体积的非子数(表面处的非子浓度1/cm3)少子的寿命受半导体的形状和表面状态的影响第68页，共128页。个/scm2个/cm3cm/sS比例系数，表征表面复合的强弱，具有速度的量纲，称为表面复合速度。第69页，共128页。2．影响表面复合的因素及寿命表示式(1)表面粗糙度(2)表面积与总体积的比例(3)与表面的清洁度、化学气氛有关在考虑表面复合后，总的复合几率为：第70页，共128页。§5.4陷阱效应

一、陷阱效应的类型第71页，共128页。对于的杂质，电子的俘获能力远大于俘获空穴的能力，称为电子陷阱。●●对于的杂质，俘获空穴的能力远大于俘获电子的能力，称为空穴陷阱。第72页，共128页。二、陷阱效应的分析1．陷阱效应中的载流子浓度稳态时陷阱上的电子浓度nt第73页，共128页。为陷阱上的非子浓度为俘获电子，电子陷阱为俘获空穴，空穴陷阱第74页，共128页。第75页，共128页。2．陷阱上的电子对电导的间接贡献没有陷阱时：有电子陷阱后：第76页，共128页。第77页，共128页。三、有效陷阱效应假设电子陷阱，rnrp第78页，共128页。当：第79页，共128页。时，最有效第80页，共128页。●当EtEF时，Ec-Et小，n1大，电子从Et激发到Ec的几率大；●当EtEF时，在热平衡态时，Nt中大部分已被电子占有，空穴很少，??nt小?Nt=4no第81页，共128页。no是少子，陷阱是少子陷阱电子陷阱是存在于P型材料中空穴陷阱是存在于N型材料中第82页，共128页。四、饱和陷阱以电子陷阱为例：达到平衡时：第83页，共128页。要达到饱和：第84页，共128页。●n很大，可以忽略n1∵n=n0+?n，n很大，说明?n很大，大注入●n1很小，说明陷阱中心的位置远离导带深陷阱和浅陷阱EcEvEt1Et2第85页，共128页。t△p(△p)o/eττ’↓浅陷阱↓深陷阱第86页，共128页。§5.5非平衡态下载流子的运动对非平衡载流子有两种定向运动：●电场作用下的漂移运动；●浓度差引起的扩散运动。第87页，共128页。一、非平衡载流子的扩散运动和扩散电流1．非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程均匀掺杂的N型半导体非子从一端沿整个表面均匀产生，且只在x方向形成浓度梯度，非子是沿x方向运动。第88页，共128页。光照x非平衡载流子的扩散AB0xx+Δx第89页，共128页。在x=x处，取截面A，x=x+?x处取截面B，两截面垂直于x轴，并且都为单位面积1cm2扩散流密度Sp(x)：单位时间通过扩散流过垂直的单位截面积的载流子第90页，共128页。一、复合类型按复合机构分直接复合：?°EcEv间接复合：EcEv?°Et第30页，共128页。按复合发生的位置分表面复合体内复合按放出能量的形式分发射光子俄歇复合发射声子→辐射复合→无辐射复合第31页，共128页。二、非子的直接复合1．复合率和产生率(1)复合率：单位时间、单位体积中被复合的载流子对（电子、空穴对），量纲为：对(个)/s·cm3用R表示R?npR=rnpr：比例系数，它表示单位时间一个电子与一