CN117998978A 一种双端加热型相变开关器件及制作方法 （电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117998978A

(43)申请公布日2024.05.07

(21)申请号202410055383.6

(22)申请日2024.01.15

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区（西区）

西源大道2006号

申请人成都炎芯微电子有限公司

(72)发明人丁瑶高莉彬曲胜孙延龙

陈宏伟张继华

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心

51203

专利代理师吴姗霖

(51)Int.Cl.

H10N70/00(2023.01)

H10N70/20(2023.01)

权利要求书2页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种双端加热型相变开关器件及制作方法

(57)摘要

一种双端加热型相变开关器件，属于射频和

微波开关器件技术领域。所述相变开关器件包括

衬底，位于衬底之上的衬底隔离层，位于衬底隔

离层之上的加热底电极层，位于加热底电极层之

上的底电极隔离层，位于底电极隔离层之上的相

变层和射频传输层，位于相变层和射频传输层之

上的上电极隔离层，位于上电极隔离层之上的加

热上电极层。本发明底电极加热层和上电极加热

层的重叠区域将相变层、射频传输层、底电极隔

离层和上电极隔离层包裹，底电极隔离层和上电

极隔离层将相变层和部分射频传输层包裹，利用

底电极加热层和上电极加热层对底电极隔离层、

A相变层和上电极隔离层的包裹使相变层能更快

8速的受热到达相变温度，进而降低相变开关开

7

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8启/关闭速度。

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C

CN117998978A权利要求书1/2页

1.一种双端加热型相变开关器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的衬底隔离

层，位于衬底隔离层之上的加热底电极层，位于加热底电极层之上的底电极隔离层，位于底

电极隔离层之上的相变层和射频传输层，位于相变层和射频传输层之上的上电极隔离层，

位于上电极隔离层之上的加热上电极层；

所述加热底电极层为依次设置的正方形、梯形和矩形组成的图形；所述底电极隔离层

为矩形，其射频传输路径上的尺寸大于加热底电极正方形的边长，加热传输路径上的尺寸

小于加热底电极正方形的边长；所述相变层为矩形，相变层矩形、加热底电极层中的正方形

与底电极隔离层矩形具有相同的中心，相变层在射频传输路径上的尺寸小于加热底电极正

方形在射频传输路径上的尺寸，相变层在加热传输路径上的尺寸小于底电极隔离层加热传

输路径上的尺寸；所述射频传输层与相变层位于同一平面，相变层位于射频传输层的两个

射频电极之间、且紧贴两个射频电极；当俯视所述相变开关时，上电极隔离层与底电极隔离

层完全重叠；所述加热上电极层为依次设置的矩形、梯形和正方形的图形，当俯视所述相变

开关时，加热上电极层的正方形与加热底电极层的正方形完全重叠。

2.根据权利要求1所述的双端加热型相变开关器件，其特征在于，所述衬底为碳化硅、

硅、砷化镓、氮化镓、蓝宝石、氮化铝、石英、锗、磷化铟或玻璃，厚度为500～550μm。

3.根据权利要求1所述的双端加热型相变开关器件，其特征在于，所述衬底隔离层为电

学绝缘材料，厚度为100～150nm。

4.根据权利要求1所述的双端加热型相变开关器件，其特征在于，所述加热底电极层为

加热电阻金属材料，厚度为100～150nm。

5.根据权利要求1所述的双端加热型相变开关器件，其特征在于，所述底电极隔离层为

电学绝缘材料，厚度为50～80nm。

6.根据权利要求1所述的双端加热型相变开关器件，其特征在于，所述相变层为碲化