CN118151269A 在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法 （西安工程大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118151269A

(43)申请公布日2024.06.07

(21)申请号202311550845.3

(22)申请日2023.11.20

(71)申请人西安工程大学

地址710048陕西省西安市碑林区金花南

路19号

(72)发明人张国青张向通王磊李子健

王悦李连碧刘丽娜

(74)专利代理机构西安弘理专利事务所61214

专利代理师许志蛟

(51)Int.Cl.

G02B3/00(2006.01)

H01L31/0216(2014.01)

H01L31/0232(2014.01)

H01L31/102(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微

透镜阵列的方法

(57)摘要

本发明公开的在硅光电倍增管表面制作自

成形自对准微透镜阵列的方法，包括：在硅光电

倍增管本体表面沉积金属薄膜层；通过光刻对准

工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，

窗口与硅光电倍增管本体的G‑APD单元光敏区一

一对应且中心对齐；通过刻蚀工艺对金属薄膜层

刻蚀形成网孔结构；在网孔结构上涂抹一层对透

明绝缘封装介质不浸润的涂层；向网孔结构上表

面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结

构内液态透明绝缘封装介质的下表面向下形成

凸面；固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜

A阵列。本发明解决了现有的将光子汇聚到SiPM芯

9片内G‑APD单元光敏区的方法成本高、耦合对准

6

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1步骤繁琐的问题。

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1

8

1

1

N

C

CN118151269A权利要求书1/1页

1.在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其特征在于，包括以下

步骤：

步骤1、在硅光电倍增管本体表面沉积金属薄膜层；

步骤2、通过光刻对准工艺形成要对金属薄膜层开窗口的光刻胶图形，窗口与硅光电倍

增管本体的G‑APD单元光敏区一一对应且中心对齐；

步骤3、通过刻蚀工艺对金属薄膜层刻蚀形成网孔结构；

步骤4、在网孔结构上涂抹一层对透明绝缘封装介质不浸润的涂层；

步骤5、向网孔结构上表面滴入液态透明绝缘封装介质，使得每个网孔结构内液态透明

绝缘封装介质的下表面向下形成凸面；

步骤6、固化得到位于硅光电倍增管表面的微透镜阵列。

2.如权利要求1所述的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其

特征在于，所述硅光电倍增管本体由若干G‑APD单元阵列而成，G‑APD单元的光敏区为圆形。

3.如权利要求1所述的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其

特征在于，所述形成网孔结构的金属薄膜层连接到硅光电倍增管本体高浓度离子掺杂层的

上表面，金属薄膜层位于所有G‑APD单元外的一圈向上凸起形成有台阶结构。

4.如权利要求1所述的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其

特征在于，所述涂层的组成材料为二氧化硅粉末和无水乙醇的悬浊液。

5.如权利要求1所述的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其

特征在于，所述透明绝缘封装介质为硅树脂或环氧树脂。

6.如权利要求1所述的在硅光电倍增管表面制作自成形自对准微透镜阵列的方法，其

特征在于，所述固化方式为在紫外灯下固化或放置在自然环境下凝固。

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