CN116487482A 太阳能电池及其制作方法 （天合光能股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116487482A(43)申请公布日2023.07.25

(21)申请号202310533278.4

(22)申请日2023.05.11

(71)申请人天合光能股份有限公司

地址213031江苏省常州市新北区天合光

伏产业园天合路2号

(72)发明人邹杨刘成法张雅倩陆玉刚张帅吴晓鹏李万里

(74)专利代理机构上海隆天律师事务所31282专利代理师万铁占

(51)Int.CI.

HO1L31/18(2006.01)

HO1L31/02(2006.01)

HO1L31/0216(2014.01)

H01L31/0224(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

太阳能电池及其制作方法

(57)摘要

CN116487482A本公开实施例中提供太阳能电池及其制作方法，通过在衬底背面形成介质膜层，在第一介质膜层背向衬底背面的一侧形成交叉排布的第一主栅和第一细栅，第一主栅与第一细栅之间形成电连接，之后进行烧结热处理，以使第一主栅至少局部烧穿第一介质膜层并与钝化接触层形成接触连接，这样，在起到收集电流的作用上，进

CN116487482A

CN116487482A权利要求书1/2页

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1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：

在衬底背面形成钝化接触层；

在所述钝化接触层背向所述衬底背面的一侧形成第一介质膜层；

在衬底正面形成第二介质膜层；

在所述第一介质膜层背向所述衬底背面的一侧形成交叉排布的第一主栅和第一细栅，所述第一主栅与第一细栅之间形成电连接；

在所述第二介质膜层上形成交叉排布的第二主栅和第二细栅，所述第二主栅与第二细栅之间形成电连接；

进行烧结热处理，以使所述第一主栅至少局部烧穿所述第一介质膜层并与所述钝化接触层形成接触连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在烧结热处理过程中，所述第二主栅不烧穿所述第二介质膜层。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在所述烧结热处理过程中，烧结温度范围为650℃~750℃。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在进行所述烧结热处理过程中，还使所述第一细栅烧穿所述第一介质膜层并与所述钝化接触层形成接触连接。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在衬底背面形成钝化接触层，包括：

在衬底背面形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层背向所述衬底背面的一侧形成多晶硅层，所述隧穿氧化层和多晶硅层构成所述钝化接触层；

其中，所述第一主栅至少局部烧穿所述第一介质膜层并与所述多晶硅层形成接触连接。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，在进行所述烧结热处理过程中，所述第一主栅与所述钝化接触层的接触深度范围为不小于1nm且小于所述钝化接触层的厚度。

7.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底背面并自上而下依次排布的钝化接触层和第一介质膜层；

位于所述第一介质膜层上且交叉排布的第一主栅和第一细栅，所述第一主栅与第一细栅之间形成有电连接，其中所述第一主栅至少局部烧穿了所述第一介质膜层并与所述钝化接触层形成有接触连接；

位于衬底正面的第二介质膜层；

位于所述第二介质膜层上且交叉排布的第二主栅和第二细栅，所述第二主栅与第二细栅之间形成有电连接。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二主栅不烧穿所述第二介质膜层。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一细栅烧穿所述第一介质膜层并与所述钝化接触层形成接触连接。

CN116487482A权利要求书2/2页

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10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触层包括：

位于所述衬底背面的隧穿氧化层；

位于所述隧穿氧化层背向所述衬底背面一侧的多晶硅层；

其中，所述第一主栅至少局部烧穿了所述第一介质膜层并与所述多晶硅层形成有接触连接。

11.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一主栅与所述钝化接触层的接触深度范围为不小于1nm且小于所述钝化接触层的厚度。

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