CN117146973B 一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN117146973B(45)授权公告日2023.12.26

(21)申请号202311434782.5

(22)申请日2023.11.01

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN117146973A

(43)申请公布日2023.12.01

(73)专利权人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7089号

(72)发明人郝群魏志鹏唐鑫陈梦璐

赵晓

(74)专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司23211

专利代理师刘景祥(51Int.CL.

G01J1/42(2006.01)

GO2B3/00(2006.01)

(56)对比文件

CN113671606A,2021.11.19

CN112987203A,2021.06.18

CN102445762A,2012.05.09

CN110609386A,2019.12.24

CN106464861A,2017.02.22

CN106054378A,2016.10.26

CN116794851A,2023.09.22

GB541752A,1941.12.10

US2018372924A1,2018.12.27

US2003179457A1,2003.09.25

MatheusMiranda.et.al.Lens

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aberrationinintegralimaging.AppliedOpticsandPhotonicsChina(AOPC2015).2015,全文.

审查员罗金

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法

(57)摘要

CN117146973B本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法，探测器包括大面阵探测器主体、隔离层、微纳结构和保护层，微纳结构包括微纳消球差层和微纳消球差透镜，隔离层的一端与大面阵探测器主体的表面连接，隔离层的另一端与微纳消球差层的一端连接；微纳消球差层的另一端设置有多个隔离沟槽，隔离沟槽的位置与大面阵探测器主体中像元的位置对应，两隔离沟槽之间的凸起部分刻蚀加工有多个微纳消球差透镜，不同孔径角位置处的微纳消球差透镜的曲率不同，保护层与微纳消球差层和微纳消球差透镜连接，本发明减

CN117146973B

CN117146973B权利要求书1/1页

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1.一种消球差大面阵探测器，其特征在于，包括大面阵探测器主体(1)、隔离层(2)、微纳结构和保护层(6);

所述微纳结构包括微纳消球差层(3)和微纳消球差透镜(5),所述隔离层(2)的一端与大面阵探测器主体(1)的表面连接，所述隔离层(2)的另一端与微纳消球差层(3)的一端连接；微纳消球差层(3)的另一端设置有多个隔离沟槽(4),隔离沟槽(4)的位置与大面阵探测器主体(1)中像元的位置对应，两隔离沟槽(4)之间的凸起部分刻蚀加工有与每个像元对应的微纳消球差透镜(5),不同孔径角位置处的微纳消球差透镜(5)表面的曲率半径不同，保护层(6)与微纳消球差层(3)和微纳消球差透镜(5)连接。

2.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述隔离层(2)的为SiC层，SiC层的厚度为300nm。

3.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述微纳消球差层(3)的材料为N型硅，其厚度为100μm。

4.根据权利要求3所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述N型硅具体为：在硅中掺杂浓度高于2×102?/cm3的磷。

5.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述隔离沟槽(4)的宽度为10μm,深度为50μm。

6.根据权利要求5所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述保护层(6)为Al?0?层，Al?0?层的厚度为中心波长的1/4。

7.一种基于权利要求1-6任一项所述的消球差大面阵探测器的消球差方法，其特征在于，具体为：成像物点发出的不同孔径角的光线经保护层(6)入射至微纳消