CN117133661A 金刚石复合衬底结构、制作方法及具有其的芯片 （钱塘科技创新中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117133661A(43)申请公布日2023.11.28

(21)申请号202210542867.4

(22)申请日2022.05.18

(71)申请人钱塘科技创新中心

地址310000浙江省杭州市经济技术开发

区白杨街道23号大街1002号5号楼

(72)发明人彭祖军杨家乐李珂潘鹏何申伟

(74)专利代理机构上海波拓知识产权代理有限公司31264

专利代理师李萌

(51)Int.CI.

HO1L21/48(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

H01L23/373(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图3页

(54)发明名称

S1S2提供一晶圆衬底在衬底的背面上，也即背离品圆的布线面的一面上，形成凹槽在衬底上，除凹槽以外的区域形成遮蔽膜

S1

S2提供一晶圆衬底

在衬底的背面上，也即背离品圆的布线面的一面上，形成凹槽

在衬底上，除凹槽以外的区域形成遮蔽膜

(57)摘要

CN117133661A一种金刚石复合衬底结构、制作方法及具有其的芯片，该制作方法包括如下步骤：S1:提供一晶圆衬底；S2:在所述衬底的背面形成凹槽；S3:在凹槽内生长金刚石薄膜。该制作方法得到的金刚石复合衬底结构能够降低金刚石生长带来的

CN117133661A

CN117133661A权利要求书1/2页

2

1.一种金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：

S1:提供一晶圆衬底；

S2:在所述衬底的背面形成凹槽；

S3:在凹槽内生长金刚石薄膜。

2.根据权利要求1所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：在进行S2步骤时，该方法还包括：

S21:在所述衬底上，除了待形成所述凹槽以外的区域覆盖遮蔽膜；

S22:对所述衬底进行蚀刻，以形成所述凹槽；

S23:去除遮蔽膜。

3.根据权利要求2所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：在进行S21步骤时，该方法包括：

在所述衬底上待形成凹槽的区域贴附水溶胶；

在整个所述衬底上形成油溶性树脂涂层；

将形成有油溶性树脂涂层的衬底进行烘干；

在烘干后进行水洗。

4.根据权利要求3所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：在进行S22步骤时，该方法还包括：

配置AgNO?、HF和H?O?的混合水溶液；

将形成有遮蔽膜的所述衬底放入上述混合水溶液中，并进行加热，其反应时间为30-70min,刻蚀速率为4-8μm/min;

将进行蚀刻后的所述衬底置于氨水与H?O?的混合液中，去除残余的Ag原子；随后依次置于去离子水、HF水溶液、去离子水中超声清洗去除残余离子。

5.根据权利要求3所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于，在进行S22步骤时，该方法还包括：采用等离子体蚀刻方法对所述衬底进行蚀刻，以形成所述凹槽。

6.根据权利要求3所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：在进行S23步骤时，该方法包括将经过S22步骤的所述衬底放入丙酮溶液中，在超声清洗下去除油溶性树脂涂层，其次放置于酒精溶液中去除残余丙酮，再用离子水清洗残余酒精，最后进行吹干。

7.根据权利要求2所述的金刚石复合衬底结构的制作方法，其特征在于：在进行S22步骤时，该方法还包括，在蚀刻到设定深度后，在已蚀刻区域的侧壁上重新形成遮蔽层，然后继续进行蚀刻。

8.一种金刚石复合衬底结构，其特征在于：包括晶圆衬底，在所述衬底的背面形成有凹槽，在所述凹槽内形成有金刚石薄膜。

9.根据权利要求8所述的金刚石复合衬底结构，其特征在于：所述衬底由Si或SiC的晶圆形成。

10.根据权利要求8所述的金刚石复合衬底结构，其特征在于：所述衬底直径为101.6-304.8mm,厚度为350-1000μm,所述凹槽的直径大于所述衬底直径的50%,所述衬底的厚度与所述凹槽的深度之差大于50μm,所述金刚石薄膜的厚度不大于所述凹槽的深度。

11.根据权利要求8所述的金刚石复合衬底结构，其特征在于：所述凹槽的端面为圆形、三角形、正方形、长方形、正五边