CN117111215A 一种高集成度滤模器及其制作方法 （南京信息工程大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117111215A(43)申请公布日2023.11.24

(21)申请号202311164716.0

(22)申请日2023.09.11

(71)申请人南京信息工程大学

GO2B27/00(2006.01)

地址210044江苏省南京市江北新区宁六

路219号

(72)发明人蒋卫锋谢龙勤

(74)专利代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204

专利代理师柏尚春

(51)Int.CI.

GO2B6/14(2006.01)

GO2B6/122(2006.01)

GO2B6/125(2006.01)

GO2B6/132(2006.01)

GO2B6/136(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种高集成度滤模器及其制作方法

(57)摘要

CN117111215A本发明公开了一种高集成度滤模器及其制作方法，包括硅衬底、下包层和上包层，上下包层之间设有芯层，芯层包括输入波导、用于滤除基模并将高阶模转化成基模输出的第一模式路由区、用于传输第一模式路由区中单模波导的单模区、用于将单模区传输的基模转化成高阶模的第二模式路由区和输出波导。波导从入射端口输入通过左侧第一模式路由区域传播，基模TE?通过弯曲波导滤除；高阶模TE?通过左侧的第一模式路由区转换成基模TE?经中心直波导传播到右侧的第二模式路由区转化成高阶模TE?后从经输出波导的出射端口输出。该滤模器制作简单、尺寸小、性能优异、加工成本低、模式转化率高、抗串

CN117111215A

CN117111215A权利要求书1/1页

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1.一种高集成度滤模器，包括依次设置的硅衬底(113)、下包层(112)和上包层(111),在下包层(112)和上包层(111)之间设有芯层(114),其特征在于，所述的芯层(114)包括输入波导(1)、用于滤除输入波导(1)中的基模并将输入波导(1)中的高阶模转化成基模输出的第一模式路由区(2)、用于传输第一模式路由区(2)中单模波导的单模区、用于将单模区传输的基模转化成高阶模输出的第二模式路由区(5)和输出高阶模的输出波导(6),芯层(114)以单模区为中心对称分布。

2.根据权利要求1所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述第一模式路由区(2)和第二模式路由区(5)包括由类似直接梯形的锥形下波导(7)与的锥形上波导(9)组成的耦合器以及锥形下波导(7)与锥形上波导(9)之间的功能区(8)组成，锥形下波导(7)的窄端与锥形上波导(9)的宽端在一侧。

3.根据权利要求2所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述锥形下波导(7)、锥形上波导(9)的长度、宽度和上下锥形波导之间的间距可调。

4.根据权利要求2所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述耦合器为非对称性定向耦合器或绝热耦合器中的一种。

5.根据权利要求4所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述非对称性定向耦合器锥形下波导(7)和锥形上波导(9)的直角面相对设置，且之间的间距为700nm-900nm;所述功能区

(8)为基于直接二进制算法的硅单元和空气单元混合组成，以硅单元为1,空气单元为0组成复杂结构，功能区亚波长单元的尺寸为50nm-150nm。

6.根据权利要求4所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述的绝热耦合器锥形下波导(7)和锥形上波导(9)的斜面相对设置，且之间的间距为400nm-500nm;所述功能区(8)为基于直接二进制算法的硅单元和空气单元混合组成，以硅单元为1,空气单元为0组成复杂结构，功能区亚波长单元的尺寸为50nm-150nm,当功能区与锥形下波导(7)和锥形上波导(9)重合时，波导区覆盖功能区(8)。

7.根据权利要求1所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述单模区包括用于传输单模波导的中心直波导(4)和弯曲波导(3),中心直波导(4)连接在两个锥形上波导(9)的中间，弯曲波导(3)分别连接在两个锥形下波导(7)的后端。

8.根据权利要求7所述的高集成度滤模器，其特征在于，所述的中心直波导(4)和弯曲波导(3)的宽度相同。

9.一种权利要求1所述的高集成度滤模器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

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