CN117147021A 一种触力传感器及其制作方法 （芯跳科技(广州)有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117147021A

(43)申请公布日2023.12.01

(21)申请号202311123228.5

(22)申请日2023.08.31

(71)申请人芯跳科技(广州)有限公司

地址510530广东省广州市黄埔区开源大

道11号B2栋801室

申请人广东人工智能与先进计算研究院

(72)发明人蒿杰马泽锐舒琳郑发明

吴金明

(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司

11332

专利代理师刘臣刚

(51)Int.CI.

GO1L1/22(2006.01)

GO1L5/00(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种触力传感器及其制作方法

(57)摘要

CN117147021A本发明公开了一种触力传感器及其制作方法，触力传感器包括：硅基板，硅基板包括在硅基板的第一表面注入的杂质离子形成的压敏电阻与导线；绝缘膜层位于硅基板的第一表面，绝缘膜层包括通孔；硅基板信号电极层位于绝缘膜层远离硅基板的一侧，硅基板信号电极层穿过通孔与压敏电阻与导线电连接；第一环形层位于绝缘膜层远离硅基板的一侧；硅基板信号电极层远离硅基板的表面与第一环形层远离硅基板的表面在同一平面；玻璃基板信号电极层位于硅基板信号电极层远离绝缘膜层的一侧，玻璃基板信号电极层与硅基板信号电极层电连接。本发明可以实

CN117147021A

的问题。

CN117147021A权利要求书1/2页

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1.一种触力传感器，其特征在于，包括：

硅基板，所述硅基板包括在所述硅基板的第一表面注入的杂质离子形成的压敏电阻与导线；

绝缘膜层，位于所述硅基板的第一表面上，所述绝缘膜层包括通孔，所述通孔裸露部分所述压敏电阻与导线；

硅基板信号电极层，位于所述绝缘膜层远离所述硅基板的一侧，所述硅基板信号电极层穿过所述通孔和所述压敏电阻与导线电连接；

第一环形层，位于所述绝缘膜层远离所述硅基板的一侧，其中，所述硅基板信号电极层位于所述第一环形层的外环侧；所述硅基板信号电极层远离所述硅基板的表面与所述第一环形层远离所述硅基板的表面在同一平面；

玻璃基板信号电极层，位于所述硅基板信号电极层远离所述绝缘膜层的一侧，所述玻璃基板信号电极层与所述硅基板信号电极层电连接；

第二环形层，位于所述第一环形层远离所述绝缘膜层的一侧，其中，所述玻璃基板信号电极层位于所述第二环形层的外环侧；所述玻璃基板信号电极层的厚度与所述第二环形层的厚度相同；

玻璃基板，位于所述玻璃基板信号电极层远离所述绝缘膜层的一侧，所述玻璃基板包括凹槽；所述凹槽、所述第一环形层和所述第二环形层形成所述触力传感器的空腔。

2.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，所述第一环形层的材料与所述硅基板信号电极层的材料相同；

所述第二环形层的材料与所述玻璃基板信号电极层的材料相同。

3.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，所述第一环形层在所述硅基板上的垂直投影与所述第二环形层在所述硅基板上的垂直投影重合；

所述第二环形层在所述硅基板上的垂直投影的内环曲线与所述凹槽在所述硅基板上的垂直投影的边界重合。

4.根据权利要求2所述的触力传感器，其特征在于，所述第一环形层在所述硅基板上的垂直投影覆盖所述压敏电阻与导线靠近所述空腔侧壁的边缘；

所述硅基板信号电极层包括接地电极，所述第一环形层与所述接地电极电连接。

5.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，所述空腔的厚度范围包括1μm～5μ

m。

6.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，所述硅基板的厚度范围为100μm~300μm。

7.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，还包括触点；所述触点位于所述硅基板远离所述绝缘膜层的一侧；

所述触点在所述绝缘膜层上的垂直投影与所述空腔在所述绝缘膜层上的垂直投影有交叠。

8.根据权利要求1所述的触力传感器，其特征在于，所述玻璃基板信号电极层在所述硅基板上的垂直投影与所述硅基板信号电极层在所述硅基板上的垂直投影重合。

9.根据权利要求1-8任一项所述的触力传感器，其特征在于，还包括封装基板；所述封装基板位于所述玻璃基板远离所述硅基板一侧。

CN117147021A权利要求书2/2页

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10.一种触力传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法用于制作权利要求1-9任一项所述的触力传感器；