CN117130080A 一种83.4nm反射镜及其制作方法 （中国科学院长春光学精密机械与物理研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117130080A(43)申请公布日2023.11.28

(21)申请号202311110265.2

(22)申请日2023.08.31

B24B13/00(2006.01)

C23C16/32(2006.01)

(71)申请人中国科学院长春光学精密机械与物

理研究所

地址130033吉林省长春市东南湖大路

3888号

(72)发明人王孝东任帅高庆钟周鹏沈亨王洋王海峰刘世界陈波

(74)专利代理机构长春众邦菁华知识产权代理有限公司22214

专利代理师周蕾

(51)Int.CI.

GO2B5/08(2006.01)

B24B1/00(2006.01)

权利要求书1页说明书3页附图1页

(54)发明名称

CN117130080A(57)摘要本发明涉及一种83.4

CN117130080A

(57)摘要

本发明涉及一种83.4nm反射镜及其制作方法，属于反射镜制备技术领域。本发明要解决现有技术中83.4nm反射镜反射率偏低的技术问题。本发明使用无压烧结制备的SiC做基底和并在其基底上通过CVD沉积的SiC涂层制作的反射镜，具有42%的高反射率，比目前最好的技术提高了60%。本发明的83.4nm反射镜具有良好的硬度和刚度，耐空间高能粒子辐照，具有良好的热稳定性。放置一年，反射率无变化，性能稳定。

CVDSiC

无压烧结SiC

CN117130080A权利要求书1/1页

2

1.一种83.4nm反射镜，其特征在于，包括：无压烧结制备的SiC基底，和通过化学气相沉积制备在所述SiC基底上的SiC涂层。

2.根据权利要求1所述的83.4nm反射镜，其特征在于，所述SiC涂层的厚度为0.2mm。

3.一种83.4nm反射镜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤i:通过无压烧结制备SiC基底；

步骤ii:对步骤i制备的SiC基底进行粗抛光；

步骤iii:通过化学气相沉积法在粗抛光后的SiC基底上制备SiC涂层；

步骤iv:对步骤iii得到的基底进行再次抛光，制备得到83.4nm反射镜。

4.根据权利要求3所述的83.4nm反射镜的制作方法，其特征在于，所述SiC涂层的厚度为0.2mm。

5.根据权利要求3所述的83.4nm反射镜的制作方法，其特征在于，所述步骤iii中化学气相沉积法的步骤具体为：

使用有机物CH?SiCl?做为先驱体，在1350℃温度下，用过量的H?气体做为反应气体，炉内气压为两个大气压，沉积速率为1-2μm/min。

6.根据权利要求5所述的83.4nm反射镜的制作方法，其特征在于，H?/CH?SiCl?体积比值为4-7。

CN117130080A说明书1/3页

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一种83.4nm反射镜及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及反射镜制备技术领域，特别涉及一种83.4nm反射镜及其制作方法。

背景技术

[0002]利用0的83.4nm谱线，对地球等离子体层进行高灵敏度成像观测，可以探测到0+的分布和变化，进而研究氧的流失，研究地球演变过程。83.4nm极紫外相机通常采用反射式结构，需要用到83.4nm高反射镜。该反射镜除了要求反射率高以外，还要求结构稳定、耐空间高能粒子辐照。

[0003]在83.4nm波段，材料的吸收较大。在5-65nm波段常用的周期多层膜结构，在这个波长处失去效用。也就是说，在该波段得不到窄带宽的高反射镜。目前，该波段的反射镜通常使用多种材料采用亚四分之一波长方法逐层设计高反射镜。83.4nm多层膜常用的材料包括SiC/B?C/C,Yb/Si0/Al/SiO/Yb/Si0,Eu/Si0/Al/Si0/Eu/Si0。但是经试验发现，这几种材料组合不够稳定，放置两年后，反射率从28%降至21%。SiC/B?C/C在83.4nm处的起始反射率为35%,放置一年后，反射率降为25%。日本的月亮女神采用了Mo/Si多层膜反射镜，其在

83.4nm处反射率为20.2%。

[0004]由此可见