CN117146973A 一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117146973A(43)申请公布日2023.12.01

(21)申请号202311434782.5

(22)申请日2023.11.01

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7089号

(72)发明人郝群魏志鹏唐鑫陈梦璐

赵晓

(74)专利代理机构哈尔滨市阳光惠远知识产权

代理有限公司23211专利代理师刘景祥

(51)Int.CI.

G01J1/42(2006.01)

GO2B3/00(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法

(57)摘要

CN117146973A本发明涉及激光器技术领域，具体涉及一种消球差大面阵探测器、消球差方法及探测器制作方法，探测器包括大面阵探测器主体、隔离层、微纳结构和保护层，微纳结构包括微纳消球差层和微纳消球差透镜，隔离层的一端与大面阵探测器主体的表面连接，隔离层的另一端与微纳消球差层的一端连接；微纳消球差层的另一端设置有多个隔离沟槽，隔离沟槽的位置与大面阵探测器主体中像元的位置对应，两隔离沟槽之间的凸起部分刻蚀加工有多个微纳消球差透镜，不同孔径角位置处的微纳消球差透镜的曲率不同，保护层与微纳消球差层和微纳消球差透镜连接，本发明减

CN117146973A

CN117146973A权利要求书1/1页

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1.一种消球差大面阵探测器，其特征在于，包括大面阵探测器主体(1)、隔离层(2)、微纳结构和保护层(6);

所述微纳结构包括微纳消球差层(3)和微纳消球差透镜(5),所述隔离层(2)的一端与大面阵探测器主体(1)的表面连接，所述隔离层(2)的另一端与微纳消球差层(3)的一端连接；微纳消球差层(3)的另一端设置有多个隔离沟槽(4),隔离沟槽(4)的位置与大面阵探测器主体(1)中像元的位置对应，两隔离沟槽(4)之间的凸起部分刻蚀加工有与每个像元对应的微纳消球差透镜(5),不同孔径角位置处的微纳消球差透镜(5)表面的曲率半径不同，保护层(6)与微纳消球差层(3)和微纳消球差透镜(5)连接。

2.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述隔离层(2)的为SiC层，SiC层的厚度为300nm。

3.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述微纳消球差层(3)的材料为N型硅，其厚度为100μm。

4.根据权利要求3所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述N型硅具体为：在硅中掺杂浓度高于2×102?/cm3的磷。

5.根据权利要求1所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述隔离沟槽(4)的宽度为10μm,深度为50μm。

6.根据权利要求5所述的消球差大面阵探测器，其特征在于，所述保护层(6)为Al?0?层，Al?0?层的厚度为中心波长的1/4。

7.一种基于权利要求1-6任一项所述的消球差大面阵探测器的消球差方法，其特征在于，具体为：成像物点发出的不同孔径角的光线经保护层(6)入射至微纳消球差透镜(5),由于不同孔径角对应的像元位置处的微纳消球差透镜(5)的曲率不同，这使得不同孔径角对应的像元位置处的微透镜对入射光的偏折角度不同，从而消除球差，在这一过程中，也可根据实际情况通过电调制的方式对微纳消球差透镜(5)进行调节。

8.一种如权利要求6所述的消球差大面阵探测器的制作方法，其特征在于，包括以下步

骤：

步骤一：在大面阵探测器主体(1)的工作端外延厚度为300nm的SiC层作为隔离层(2);步骤二：采用PECVD技术在隔离层(2)的基础上沉积一层厚度为100μm的N型硅层；

步骤三：在N型硅层上且与大面阵探测器主体(1)中像元对应的位置处刻蚀宽度为10μm,深度为50μm的隔离沟槽(4)用于微纳消球差透镜(5)的定位；

步骤四：根据不同孔径角的入射光并通过光路计算，确定出探测器不同孔径角像元位置处的球差大小，根据不同孔径角像元位置处的球差大小设计出多个微纳消球差透镜(5)的面型，并在微纳消球差层(3)上两隔离沟槽(4)之间的凸起部分刻蚀加工出多个微纳消球差透镜(5);

步骤五：根据偏离光轴的位置，在每个微纳消球差透镜(5)的外表面刻蚀出不同的曲率半径；

步骤六：在微纳消球差透镜(5)的微纳层外部镀制厚度为1/4中心波长的