CN117135841A 一种多层电子电路制作方法 （西安电子科技大学杭州研究院）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117135841A(43)申请公布日2023.11.28

(21)申请号202311028670.X

(22)申请日2023.08.16

(71)申请人西安电子科技大学杭州研究院

地址311231浙江省杭州市萧山区萧山经

济技术开发区钱农东路8号申请人西安电子科技大学

(72)发明人江山克劳斯·安德斯·尤特周赟磊王备保宏

(74)专利代理机构武汉聚砺知识产权代理事务所(普通合伙)42336

专利代理师聂祥敏

(51)Int.CI.

HO5K3/46(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图11页

(54)发明名称

一种多层电子电路制作方法

(57)摘要

CN117135841A本发明提供了一种多层电子电路制作方法。本发明提供的多层电子电路制作方法，包括：将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将第一元器件封装；根据第一掩膜层和第二液体预制层，形成第一沉积孔和第一沉积槽，在第一沉积孔和第一沉积槽中形成第一液体金属线路，移除第一掩膜层，利用第三液体预制层将第一元器件以及第一液体金属线路封装；根据第二掩膜层和第三液体预制层，形成第二液体金属线路；移除第二掩膜层，将第二元器件放置于第二液体金属线路的引脚上，利用第四液体预制层将第二元器件和第二液体金属线路封装。本发明的多层电子电路制作

CN117135841A

将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将所述第一元器件封装

在所述第二液体预制层上铺上第一掩膜层，根据所述

第一掩膜层和所述第二液体预制层，形成第一沉积孔

和第一沉积槽，在所述第一沉积孔和所述第一沉积槽

中形成第一液体金属线路，移除所述第一掩膜层，利

用第三液体预制层将所述第一元器件以及所述第一液

体金属线路封装

在所述第三液体预制层上铺上第二掩膜层，根据所述

第二掩膜层和所述第三液体预制层，形成第二沉积孔

和第二沉积楷，在第二沉积孔和第二沉积槽中形成第

二液体金属线路

移除所述第二掩膜层，将第二元器件放置于所述第二

液体金属线路的引脚上，利用第四液体预制层将所述

第二元器件和所述第二液体金属线路封装

CN117135841A权利要求书1/2页

2

1.一种多层电子电路制作方法，其特征在于，包括：

将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将所述第一元器件封装；

在所述第二液体预制层上铺上第一掩膜层，根据所述第一掩膜层和所述第二液体预制层，形成第一沉积孔和第一沉积槽，在所述第一沉积孔和所述第一沉积槽中形成第一液体金属线路，移除所述第一掩膜层，利用第三液体预制层将所述第一元器件以及所述第一液体金属线路封装；

在所述第三液体预制层上铺上第二掩膜层，根据所述第二掩膜层和所述第三液体预制层，形成第二沉积孔和第二沉积槽，在第二沉积孔和第二沉积槽中形成第二液体金属线路；

移除所述第二掩膜层，将第二元器件放置于所述第二液体金属线路的引脚上，利用第四液体预制层将所述第二元器件和所述第二液体金属线路封装。

2.根据权利要求1所述的多层电子电路制作方法，其特征在于，所述将第一元器件放置于在支撑体上形成的第一液体预制层上，利用第二液体预制层将所述第一元器件封装，包

括：

在支撑体上涂上第一层预制液体，形成所述第一液体预制层，将所述第一元器件放置于所述第一液体预制层上，将第二层预制液体涂在所述第一元器件和所述第一液体预制层上，形成第二液体预制层，以将所述第一元器件封装。

3.根据权利要求2所述的多层电子电路制作方法，其特征在于，所述在支撑体上涂上第一层预制液体，形成所述第一液体预制层，包括，在支撑体上涂上第一层硅胶，形成所述第一液体预制层；所述将第二层预制液体涂在所述第一元器件和所述第一液体预制层上，形成第二液体预制层，包括，将第二层硅胶涂在所述第一元器件和所述第一液体预制层上，形成第二液体预制层。

4.根据权利要求2所述的多层电子电路制作方法，其特征在于，所述将第二层预制液体涂在所述第一元器件和所述第一液体预制层上，形成第二液体预制层，以将所述第一元器件封装，包括：

将所述第二层预制液体涂在所述第一元器件和所述第一层预制液体上，形成第二液体预制层，使所述第二液体预制层和所述第一液体预制层将所述第一元器件封装。