CN116827297A 一种声波谐振器及其制作方法 （中国科学技术大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116827297A(43)申请公布日2023.09.29

(21)申请号202310780311.3

(22)申请日2023.06.28

(71)申请人中国科学技术大学

地址230026安徽省合肥市包河区金寨路

96号

(72)发明人左成杰戴忠斌肖司琪

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师郭化雨

(51)Int.CI.

HO3H9/02(2006.01)

HO3H9/13(2006.01)

HO3H3/02(2006.01)

HO3H3/08(2006.01)

权利要求书2页说明书14页附图22页

(54)发明名称

一种声波谐振器及其制作方法

(57)摘要

本申请提供了一种声波谐振器及其制作方法，涉及谐振器技术领域。所述声波谐振器，包括：衬底、释放层、压电层、多个叉指电极以及至少一个反射栅；其中，释放层设置于衬底的一侧表面，释放层用于在压电层与衬底之间被释放，当释放层被释放时，压电层与衬底隔离，形成空腔，压电层设置于释放层背离衬底的一侧表面，至少一个反射栅设置于多个叉指电极的两侧。这样，通过在声波谐振器叉指电极两侧设置反射栅和释放释放层相结合的方式，最大程度地降低表面波和体波的泄露，进而提高声波谐振器的性

CN

CN116827297A

CN116827297A权利要求书1/2页

2

1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：

衬底、释放层、压电层、多个叉指电极以及至少一个反射栅；

所述释放层设置于所述衬底的一侧表面，所述释放层用于在所述压电层与所述衬底之间被释放，当所述释放层被释放时，所述压电层与所述衬底隔离，形成空腔；

所述压电层设置于所述释放层背离所述衬底的一侧表面；

所述至少一个反射栅设置于所述多个叉指电极的两侧。

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述多个叉指电极设置于所述压电层背离所述释放层的一侧表面，和/或，所述压电层朝向所述释放层的一侧表面。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述反射栅包括多条根状金属，所述至少一个反射栅按周期性分布在所述叉指电极两侧，所述反射栅的结构为短路悬浮栅、开路悬浮栅以及接地反射栅中的一种。

4.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，

所述反射栅的数量为1-200个；

所述叉指电极的数量为2-500个。

5.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，

所述反射栅的材料为金，或银，或铜，或铬，或镍，或铝，或钼，或铂，或钛金，或钛铝，或铬金，或铬铝；

所述叉指电极材料为金，或银，或铜，或铬，或镍，或铝，或钼，或铂，或钛金，或钛铝，或铬金，或铬铝。

6.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，

相邻的所述叉指电极与所述反射栅之间的距离为0.001-50μm;

所述叉指电极的厚度为5-500nm;

所述反射栅的厚度为5-500nm;

所述叉指电极的宽度为0.001-5μm;

所述反射栅的宽度为0.001-5μm;

所述叉指电极的长度为1-500μm;

所述反射栅的长度为1-500μm。

7.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述反射栅背离所述叉指电极一侧的所述压电层为自由边界或固定边界。

8.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述释放层为一层或多层，每层的材料为二氧化硅、氮化硅、铌酸锂以及硅中的一种。

9.根据权利要求1所述的声波谐振器，其特征在于，所述压电层为铌酸锂层，或钽酸锂层，或由铌酸锂层、氮化铝层、掺钪氮化铝层、钽酸锂层和氧化锌层中的至少两层的组成的

复合层；

所述压电层的厚度为10-5000nm。

10.一种声波谐振器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧表面设置释放层；

在所述释放层背离所述衬底的一侧表面设置压电层；

CN116827297A权利要求书2/2页

3

在所述多个叉指电极的两侧设置至少一个反射栅；

将所述释放层在所述压电层与所述衬底之间释放，当所述释放层被释放时，所述压电层与所述衬底隔离，形成空腔。

CN116827297A