CN116969413A 一种原子气室及其制作方法 （中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116969413A(43)申请公布日2023.10.31

(21)申请号202210424710.1

(22)申请日2022.04.21

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区

若水路398号

(72)发明人翟豪王逸群张宝顺姜春宇

(74)专利代理机构深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304

专利代理师孙伟峰

(51)Int.CI.

B81C3/00(2006.01)

B81C1/00(2006.01)

G01R33/00(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种原子气室及其制作方法

(57)摘要

CN116669413A提供了一种原子气室及其制作方法，所述原子气室包括第一玻璃片、第二玻璃片和硅晶圆，硅晶圆具有贯穿其彼此相对的第一硅晶圆表面和第二硅晶圆表面的通孔；第一玻璃片覆盖于第一硅晶圆表面上，且第二玻璃片覆盖于第二硅晶圆表面上，以使通孔形成密闭的空腔；硅晶圆还包括设置于第一硅晶圆表面上的沟槽以及设置于沟槽内的第一改性层，沟槽的一端与空腔相连通。该原子气室能够使金属蒸汽取向凝结于沟槽内，并且相邻的分级沟槽单元的表面张力差产生的驱动力可将凝聚的液态金属牵引远离空腔的方向，避免了金属蒸汽在光学窗口内表面发生凝结从而影响原子气室的透光率，从而避免了探测

CN116669413A

CN116969413A权利要求书1/2页

2

1.一种原子气室，其特征在于，所述原子气室包括：第一玻璃片、第二玻璃片和硅晶圆，所述硅晶圆具有贯穿其彼此相对的第一硅晶圆表面和第二硅晶圆表面的通孔；所述第一玻璃片覆盖于所述第一硅晶圆表面上，且所述第二玻璃片覆盖于第二硅晶圆表面上，以使所述通孔形成密闭的空腔；

所述硅晶圆还包括设置于所述第一硅晶圆表面上的沟槽以及设置于所述沟槽内的第一改性层，所述沟槽的一端与所述空腔相连通。

2.根据权利要求1所述的原子气室，其特征在于，所述沟槽的数量为多个，各个所述沟槽的远离所述空腔的另一端相互连通。

3.根据权利要求1或2所述的原子气室，其特征在于，所述沟槽沿着远离所述通孔的方向顺序包括相互连通的第1级沟槽单元、第2级沟槽单元、……、第N-1级沟槽单元、第N级沟槽单元，其中，N为正整数。

4.根据权利要求3所述的原子气室，其特征在于，所有的第i级沟槽单元的截面内壁周长之和大于所有的第i-1级沟槽单元的截面内壁周长之和，其中，2≤i≤N。

5.根据权利要求3所述的原子气室，其特征在于，所有的第i级沟槽单元的总截面面积等于所有的第i-1级沟槽单元的总截面面积，其中，2≤i≤N。

6.根据权利要求3所述的原子气室，其特征在于，还包括邻近于所述第N级沟槽单元的远离所述通孔的一端处的凹槽，所述凹槽使各个所述第N级沟槽单元的远离所述通孔的一端相互连通。

7.根据权利要求1所述的原子气室，其特征在于，所述第一玻璃片的面向所述沟槽的表面上设置有第二改性层，所述第二改性层的图案与所述第一改性层的图案相同，并且所述第二改性层和所述第一改性层彼此对准。

8.一种权利要求1至7任一项所述的原子气室的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在第一硅晶圆表面形成多个沟槽，并在所述沟槽内形成第一改性层；

形成贯穿所述第一硅晶圆表面和第二硅晶圆表面的通孔，所述沟槽的一端与所述通孔相连通；

将第二玻璃片与第二硅晶圆表面进行键合；

在所述第一硅晶圆表面，和/或在第一玻璃片的面向所述沟槽的表面上刻蚀凹槽，以使各个所述沟槽的远离所述通孔的另一端通过所述凹槽相互连通；

在所述通孔内充入液态碱金属和缓冲气体，并将所述第一玻璃片与所述第一硅晶圆表面进行键合，以使所述通孔形成密闭的空腔，获得所述原子气室。

9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在第一硅晶圆表面形成多个沟槽，并在所述沟槽内形成第一改性层的方法具体包括：

通过光刻技术在所述第一硅晶圆表面上形成多个所述沟槽的图案；

利用刻蚀机根据所述沟槽的图案对所述硅晶圆进行刻蚀，以在所述第一硅晶圆表面刻蚀形成所述多个沟槽；

利用溅射工艺，和/或低压化学气相沉积工艺在各个所述沟槽内生长所述第一改性层；将与所述沟槽区域之外的区域相对的所述第一改性层去除。

10.根据权利要求6～8任一所述的制作