CN116961605A 一种空腔型体声波滤波器及其制作方法 （中国科学院宁波材料技术与工程研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116961605A(43)申请公布日2023.10.27

(21)申请号202210395776.2

(22)申请日2022.04.15

(71)申请人中国科学院宁波材料技术与工程研究所

地址315201浙江省宁波市镇海区庄市大

道519号

(72)发明人郭炜叶继春彭贤春张佳欣

(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227

专利代理师李秋梅

(51)Int.CI.

HO3HHO3HHO3HHO3H

3/02(2006.01)

9/17(2006.01)

9/02(2006.01)

9/13(2006.01)

权利要求书1页

说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种空腔型体声波滤波器及其制作方法

(57)摘要

CN116961605A本发明公开了一种空腔型体声波滤波器及其制作方法，制作方法包括：S1,在衬底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n-GaN牺牲层；S2,去掉在预定的谐振区以外的部分，在非掺杂的GaN层和n-GaN牺牲层获得缓坡结构；S3,沉积底电极，并进行图形刻蚀获得预设的图形，并为n-GaN牺牲层预留氧化窗口；S4,在底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构；S5,置入阳极氧化溶液中，将硅掺杂的n-GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在非掺杂的GaN层与底电极之间形成多孔结构的空气隙；S5,在压电薄膜层、顶电极的表面沉积钝化层。解决了下电

CN116961605A

在村底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n-GaN牺牲层

去掉在预定的谐振区以外的部分，在所述非掺杂的GaN层和所述n-GaN牺牲层获得缓坡结构

在所述非掺杂的GaN层和所述n-

GaN牺牲层的表面沉积底电极，并对所述底电极进行图形刻蚀获得预设的底电极图形，并为所述硅掺杂的n-GaN牺牲层预留氧化窗口

在所述村底的所述底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构

置入阳极氧化溶液中，将所述n-

GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在所述非掺杂的GaN层与所述底电极之间形成多孔结构的空气隙

在所述压电薄膜层、所述顶电极的表面沉积钝化层

S1

S3

S4

S5

S6

CN116961605A权利要求书1/1页

2

1.一种空腔型体声波滤波器制作方法，其特征在于，包括：

S1,在衬底的第一面依次通过外延生长得到非掺杂的GaN层和硅掺杂的n-GaN牺牲层；

S2,去掉在预定的谐振区以外的部分，在所述非掺杂的GaN层和所述n-GaN牺牲层获得缓坡结构；

S3,在所述非掺杂的GaN层和所述n-GaN牺牲层的表面沉积底电极，并对所述底电极进行图形刻蚀获得预设的底电极图形，并为所述硅掺杂的n-GaN牺牲层预留氧化窗口；

S4,在所述衬底的所述底电极依次沉积压电薄膜层、顶电极后，经过图形刻蚀获得需要的图形结构；

S5,置入阳极氧化溶液中，将所述n-GaN牺牲层作为阳极，铂电极作为阴极进行阳极氧化，在所述非掺杂的GaN层与所述底电极之间形成多孔结构的空气隙；

S6,在所述压电薄膜层、所述顶电极的表面沉积钝化层。

2.如权利要求1所述空腔型体声波滤波器制作方法，其特征在于，在所述S2、所述S3之间，还包括：

在所述非掺杂的GaN层的缓坡结构上设置与所述缓坡结构相同形状的支撑层，所述底电极设置在所述支撑层表面。

3.如权利要求2所述空腔型体声波滤波器制作方法，其特征在于，所述S1包括：

采用MOCVD、MBE或磁控溅射中的一种在所述衬底的第一面依次生长得到所述非掺杂的GaN层和所述硅掺杂的n-GaN牺牲层。

4.如权利要求3所述空腔型体声波滤波器制作方法，其特征在于，所述阳极氧化溶液为硝酸或草酸，所述阳极氧化溶液的浓度为0.01mol/L-5mol/L。

5.一种空腔型体声波滤波器，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底、经过图形处理的非掺杂的GaN层、硅掺杂的n-GaN牺牲层、底电极和压电薄膜层、顶电极、钝化层，所述硅掺杂的n-GaN牺牲层包括通电阳极氧化后形成的多孔结构的空气隙，所述非掺杂的GaN层包括缓坡结构，所述底电极的一端与所述非掺杂的GaN层连接，所述硅掺杂的n-GaN牺牲层的一端设置在所述缓坡结构的顶部，所述压电