CN116978875A 芯片堆叠散热结构、三维堆叠封装系统及制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116978875A(43)申请公布日2023.10.31

(21)申请号202310989239.5

(22)申请日2023.08.07

(71)申请人南方科技大学

地址518000广东省深圳市南山区桃源街

道学苑大道1088号

(72)发明人郭跃进首涛潘丽张承鑫

程璐张烨张国飙

(74)专利代理机构北京超凡宏宇知识产权代理有限公司11463

专利代理师钟扬飞

(51)Int.CI.

HO1L23/367(2006.01)

HO1L23/485(2006.01)

HO1L23/31(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)

H01L21/50(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H01L21/48(2006.01)

H01L23/488(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

芯片堆叠散热结构、三维堆叠封装系统及制

作方法

(57)摘要

CN116978875A本申请提供一种芯片堆叠散热结构、三维堆叠封装系统及制作方法，芯片堆叠散热结构包括：由下至上依次叠加设置的重布线层、连接层以及芯片层，在重布线层内嵌入设置有多个散热片，以形成散热层，散热层和重布线层位于所述芯片层的同一侧。本申请中的重布线层和散热层均位于芯片层的同侧，使重布线层和散热层均占据较小的空间，以更高的集成度堆叠芯片层，从而实现单位高度下更多的芯片层的堆叠层数，减少了芯片堆叠散热结构的整体尺寸和封装厚度，使得芯片堆叠散热结构能够更多地应用于对厚

CN116978875A

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CN116978875A权利要求书1/2页

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1.一种芯片堆叠散热结构，其特征在于，包括：由下至上依次叠加设置的重布线层、连接层以及芯片层，在所述重布线层内嵌入设置有多个散热片，以形成散热层，所述散热层和所述重布线层位于所述芯片层的同一侧。

2.根据权利要求1所述的芯片堆叠散热结构，其特征在于，所述散热层投影到所述芯片层的无源面表面的投影面积不小于所述芯片层的无源面的表面面积。

3.根据权利要求1或2所述的芯片堆叠散热结构，其特征在于，在所述芯片层的有源面的表面通过焊接件与所述重布线层内的作为数据传输的金属布线连接，所述芯片层的无源面的表面与所述连接层连接。

4.根据权利要求1所述的芯片堆叠散热结构，其特征在于，所述散热层的厚度不小于所述重布线层的厚度。

5.根据权利要求1所述的芯片堆叠散热结构，其特征在于，所述散热片在所述重布线层内为由下至上依次叠加设置。

6.根据权利要求1所述的芯片堆叠散热结构，其特征在于，所述连接层为热压非导电胶、热压非导电膜、芯片粘结薄膜或银胶中的一种。

7.一种三维堆叠封装系统，其特征在于，包括：至少一层如权利要求1-6任一项所述的芯片堆叠散热结构以及铜柱；相邻的所述芯片堆叠散热结构之间通过所述铜柱连接以实现电连接。

8.根据权利要求7所述的三维堆叠封装系统，其特征在于，所述三维堆叠封装系统还包括：模塑材料层；所述模塑材料层填充于相邻的所述芯片堆叠散热结构上的所述重布线层之间，并将所述芯片层和所述铜柱进行包围固定。

9.一种芯片堆叠散热结构的制作方法，其特征在于，包括：

制备重布线层，在所述重布线层内设置金属布线；

在所述重布线层的上表面设置芯片层，使所述芯片层的无源面表面与所述重布线层接触，所述芯片层的有源面表面通过焊接件与所述金属布线进行连接；

其中，在位于所述重布线层与所述芯片层的有源面的接触面处的所述重布线层内由下至上叠加设置多个散热片，以形成散热层。

10.根据权利要求9所述的芯片堆叠散热结构的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述重布线层的上表面与所述芯片层的连接处刻蚀出空腔，使所述芯片层的无源面表面暴露于所述空腔中，所述空腔的面积不小于所述芯片层的无源面的表面面积。

11.根据权利要求9所述的芯片堆叠散热结构的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述重布线层的上表面和所述芯片层的无源面表面之间设置连接层。

12.一种三维堆叠封装系统的制作方法，其特征在于，包括：

将权利要求1至6任一项所述的芯片堆叠散热结构相对堆叠排列；

在相邻的所述芯片堆叠散热结构上的所述重布线层表面电镀铜