CN116960181A 一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN116960181A(43)申请公布日2023.10.27

(21)申请号202310601377.1

(22)申请日2023.05.25

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

(72)发明人芦浩邓龙格周立坤杨凌

马晓华张濛武玫郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230专利代理师辛菲

(51)Int.CI.

HO1LHO1LHO1LH01LHO1L

29/78(2006.01)

29/423(2006.01)

29/12(2006.01)

29/10(2006.01)

21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书10页附图6页

(54)发明名称

一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法

(57)摘要

CN116660181A本发明公开了一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件及制作方法，包括：自下而上的衬底层、缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，以及设置于势垒层上的源电极、漏电极、第一和第二栅电极；从俯视角度看，第一和第二栅电极之间，以沟道区域为中心，对称分布有钝化区域、沟道隔离区域、栅区域；沟道区域和栅区域自下到上包括缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，且栅区域为锯齿结构；沟道隔离区域为凹槽结构；钝化区域包括沟道区域两侧的钝化层和沟道区域势垒层上的钝化层；沟道区域和栅区域通过沟道隔离区域隔离并形成栅控MOS电

CN116660181A

第

第二二栅极

栅区域

!

沟道隔离区域钝化区域

沟道区域

钝化区域

沟道隔离区域

栅区域

第一栅极

漏极

源极

CN116960181A权利要求书1/2页

2

1.一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件，其特征在于，包括：

自下而上设置的衬底层、缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层，以及设置于所述势垒层的源电极、漏电极、第一栅电极和第二栅电极，所述源电极和所述漏电极相对分布；所述第一栅电极和所述第二栅电极相对分布；其中，

从俯视角度看，所述第一栅电极和所述第二栅电极之间，以沟道区域为中心，对称分布有钝化区域、沟道隔离区域、栅区域；所述沟道区域和所述栅区域自下到上均包括所述缓冲层、所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述势垒层，且所述栅区域为锯齿结构；所述沟道隔离区域为从上到下贯穿所述势垒层、所述第二沟道层、所述第一沟道层直至所述缓冲层内的凹槽结构；所述钝化区域包括所述沟道区域两侧的钝化层和所述沟道区域的势垒层上的钝化层；所述沟道区域和所述栅区域通过所述沟道隔离区域隔离并形成栅控MOS电容结构；所述沟道区域具有自对准的本征极化沟道特性；所述钝化区域用于钝化所述沟道区域及调控栅控MOS电容结构的电容值。

2.根据权利要求1所述的基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件，其特征在于，所述栅区域的锯齿结构包括矩形结构、三角形结构、或弧形结构中至少一种。

3.根据权利要求1所述的基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件，其特征在于，所述沟道隔离区域的凹槽结构包括矩形凹槽结构、三角形凹槽结构、多边形凹槽结构或弧形凹槽结构中至少一种。

4.根据权利要求1所述的基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件，其特征在于，所述沟道区域两侧的钝化层材料选择及其横向厚度由器件自身的应用频段和功率输出需求决定。

5.根据权利要求1所述的基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件，其特征在于，所述沟道区域和所述栅区域之间的沟道隔离区域和钝化区域的横向比值为0～100%。

6.一种基于量子阱自对准栅的多沟道异质结器件的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底层上依次生长缓冲层、第一沟道层、第二沟道层和势垒层；

在所述势垒层上光刻源电极和漏电极区域，并在所述源电极和漏电极区域蒸发欧姆金属并退火形成源电极和漏电极；

在所述势垒层上光刻栅电极区域，并在所述栅电极区域蒸发肖特基金属形成第一栅电极和第二栅电极；

刻蚀所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述势垒层、所述第二沟道层、所述第一沟道层直至所述缓冲层内形成第一凹槽和第二凹槽；其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽之间形成沟道区域；所述第一栅电极与所述第一凹槽之间，以及所述第二凹槽和所述第二栅电极之间分别形成栅区域；

利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽的侧壁