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确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号

SiC正在被应到功率更高、电压更高的设计中，比如电动汽车E（V）的马达驱

动器、电动汽车快速充电桩、车载和非车载充电器、风能和太阳能逆变器和工

控电源。

功率系统设计人员在转向SiC时，会面临一些问题的挑战：

•测试设备能否准确地测量SiC系统的快速开关动态？

•怎样才能准确地优化门驱动性能和空转时间？

•共模瞬态信号是否影响测量准确度？

•我看到的振铃是真的吗？还是探头响应结果？

对工程师来说，解决这些挑战非常难。还有一点，工程师需要准确地查看所有

这些信号，才能及时做出正确的设计决策。提高设计裕量和过度设计，只会推

动成本上升，让性能下降。使适当的测量设备才是解决问题的关键。

时域测量和开关损耗计算的准确度，受到来采集测量数据的探头的准确度、

带宽和时延的影响。尽管这一讨论的重点是示波器探头之间的差异，但具体实

现方式（如布局、寄生信号和耦合）也在测量准确度中发挥着关键作。需要

测量栅极电压、漏极电压、电流三个重要参数，才能正确验证采SiC技犬的

功率模块。

栅极电压测量

测量SiC功率器件的栅极电压极具挑战性，因为它是一种低压信号C20

Vpp）,参考的节点相本•于示波器接地可能会有高DC偏置和高dv/dt。此外，最

大的dv/dt发生在开关事件过程中，这是测量栅极信号时最关心的时间。即使

是器件源极连接到接地的拓扑中，电路接地和示波器接地之间的寄生阻抗仍会

由于快速瞬态信号而导致错误读数。这要求测量设备从接地反耦，要有非常大

的共模抑制比。这种栅极电压测量在传统上采标准差分探头（图la）,而最

新的光隔离探头，illIsoVu探测系统（图1b）,则可以大大高这种测量的准

确度。

图1.a（）差分电压探头实例：泰克差分探头THDP0200探头及附件；

b（）泰克IsoVuTIVP1光隔离探头T（IVPMX10X,±50V传感器尖端）。

图2比较了标准差分探头与光隔离探头进行的高侧栅极电压测量。不管是关闭

还是打开，在器件栅极经过阈值区域后，栅极上都可以看到高频振铃。由于栅

极和功率环路之间的耦合，预计会出现部分振铃。但是，在差分探头中，振铃

的幅度明显要高于光隔离探头测得的值。这可能是由于参考电压变化在探头内

部引起了共模电流及标准差分探头的假信号。虽然图2中差分探头测得的波形

似乎通过了器件的最大栅极电压，但光隔离探头的测量准确度要更高，明确显

示器件位于规范范围内。

图2.差分探头（蓝色轨迹）与IsoVu光隔离探头（黄色轨迹）对比。

使用标准差分探头进行栅极电压测量的应用工程师要注意，因为其可能区分不

了这里显示的探头和测量系统假信号与器件额定值实际违规。这种测量假信号

可能会导致设计人员高栅极电阻，降慢开关瞬杰信号，减少振铃。但是，这

不一定会高SiC器件的损耗。为此，使用的测量系统一定要能准确地反映器

件的实际动态，以正确设计系统，优化性能。

漏极电压测量

在功率电子系统中，差分探头和参考地电平探头是两种常用的电压测量方法。

差分探头是一种流行的选择，因为它可以毫无问题地添加到电路的任意节点

中。而参考地电平探头要注意实现方式，因为其屏蔽引脚连接到示波器的接地

上。参考地电平测量实现不正确，一般会导致探头参考上出现小的接地电流，

明显降低测量的准确度。这种效应在SiC设计中会更明显，因为高dv/dt会给

示波器探头参考地电平引入寄生电流，导致测量误差。在更严重的情况下（参

考地电平屏蔽层连接到功率信号时），大电流会流过接地，损坏探头或示波器。

在最坏的情况下，从仪器到接地的连接失败会导致示波器的外部金属壳浮动到

总线电压，给操作人员的人身安全带来严重威胁。

在使用参考地电平CVR时，接地问题变得更加关键。如图3所示，在合使用

参考地电平探头与CVR时，有可能通过示波器屏蔽路径绕