CN115589760A 一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法 (中冶赛迪工程技术股份有限公司).docxVIP

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  • 2026-01-31 发布于重庆
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CN115589760A 一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法 (中冶赛迪工程技术股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115589760A(43)申请公布日2023.01.10

(21)申请号202211247445.0

(22)申请日2022.10.12

(71)申请人中冶赛迪工程技术股份有限公司地址400013重庆市渝中区双钢路1号

申请人中冶赛迪技术研究中心有限公司

(72)发明人冯科王水根邓惠丹段青松陈南菲漆锐谭庆杨玉

(74)专利代理机构北京同恒源知识产权代理有限公司11275

专利代理师杨柳岸

(51)Int.CI.

H10N10/17(2023.01)

GO1K7/00(2006.01)

H10N10/01(2023.01)

权利要求书2页说明书10页附图4页

(54)发明名称

一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法

(57)摘要

CN115589760A本发明涉及一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器及其制作方法,属于传感器技术领域。传感器主要包括金属基底、金属过渡层I、金属粘结层I、绝缘层I、光刻胶、金属传感层、金属过渡层II、金属粘结层II、绝缘层II、金属保护片、金属过渡层III、金属粘结层III和环氧树脂;制作方法为:选取用于传感器沉积的金属基底;通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射等工艺步骤将过渡层、粘结层、绝缘层、传感层和保护层逐层沉积上去,形成典型的三明治层状结构。本发明能有

CN115589760A

CN115589760A权利要求书1/2页

2

1.一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器,其特征在于:主要包括金属基底(1)、金属过渡层I(2)、金属粘结层I(3)、绝缘层I(4)、金属传感层(6)、金属过渡层II(10)、金属粘结层II(11)、绝缘层II(12)、金属保护片(7)、金属过渡层III(13)和环氧树脂(15);

所述金属基底(1)为衬底,表面电镀有金属过渡层I(2);

所述金属过渡层I(2)表面溅射有金属粘结层I(3);

所述金属粘结层I(3)表面涂覆有绝缘层I(4);

所述绝缘层I(4)表面沉积金属传感层(6);

所述金属传感层(6)表面电镀有金属过渡层II(10);

所述金属传感层(6)包括第一极传感回路和第二极传感回路;

所述第一极传感回路包括依次沉积的金属层I(601)、金属层II(602)和金属层III

(603);

所述第二极传感回路沉积在第一极传感回路的表面,包括依次沉积的金属层IV(604)、金属层V(605)和金属层VI(606);

所述金属过渡层II(10)表面溅射有金属粘结层II(11);

所述金属粘结层II(11)表面涂覆有绝缘层II(12);

所述绝缘层II(12)的表面粘接金属保护片(7);

所述金属保护片(7)与绝缘层II(12)相对的下表面处电镀有金属过渡层III(13),另一表面涂覆环氧树脂(15)。

2.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器,其特征在于,所述金属过渡层III(13)的表面溅射有金属粘结层III(14),所述绝缘层II(12)和金属粘结层III(14)表面粘接,从而令金属基底(1)和金属保护片(7)粘接。

3.根据权利要求1所述的一种基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器,其特征在于:

所述金属基底(1)的厚度范围为50μm~800μm;

所述金属过渡层I(2)、金属过渡层II(10)的厚度范围为5μm~30μm;

所述金属粘结层I(3)、金属粘结层II(11)的厚度范围为10nm~100nm;

所述绝缘层I(4)、绝缘层II(12)的厚度范围为1μm~5μm;

所述金属传感层(6)的厚度范围为300nm~900nm。

4.一种制作基于金属衬底的微纳米薄膜热流传感器的方法,其特征在于,主要包括以下步骤:

步骤1、选取用于传感器沉积的金属基底(1)为衬底;

步骤2、对金属基底(1)进行研磨和化学机械抛光,并通过磁控溅射工艺在金属基底(1)表面沉积金属过渡层I(2);

步骤3、通过磁控溅射工艺在金属过渡层I(2)表面上沉积金属粘结层I(3);

步骤4、通过匀胶旋涂工艺在金属粘结层I(3)表面上涂覆绝缘层I(4),并在热板和烘箱中分别进行软烘和固化;

步骤5、通过匀胶旋涂工艺在绝缘层I(4)表面上涂覆光刻胶(5),并在热板上对

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